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本发明公开的一种半导体发光二极管结构，提供了一种外延生长的ＬＥＤ结构，包括在传统的ＬＥＤ结构即衬底层上的缓冲层、ｕＧａＮ层、ｎ型ＧａＮ∶Ｓｉ层、多量子阱层以及ｐ型ＧａＮ∶Ｍｇ层的基础上，在多量子阱层与ｐ型ＧａＮ∶Ｍｇ层之间，或多量子阱层与ｎ...
该专利属于方大集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过方大集团股份有限公司授权不得商用。

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