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本发明提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔，该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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