化合物半导体及其制造方法和半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为ｐ型掺杂剂的镁（Ｍｇ），边通过晶粒生长，在由ＧａＡｓ构成的基板（１０）上形成由ＡｌＧａＩｎＰ构成的第一半导体层（１１），接着，在第一半导体层（１１）上，以不添加镁的方式生长第二半导体层（１２）。由此，第二半导体层可以防止由镁引起的不需要的掺杂（存储效应）。因此根据本发明专利技术的半导体制造方法制造的半导体，可以防止在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的ｐ型掺杂剂中使用镁（Ｍｇ）的时候的存储效应，从而可以使用控制性优良的ｐ型掺杂剂。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其涉及使用AlGaInP系半导体材料的。
技术介绍
数字化视频光盘(DVDDigital Versatile Disk)装置由于能记录极高密度的信息，因此在个人电脑和影像音像仪器领域正急速普及。特别是近年来，人们已经期待能对DVD进行写入或者重写的DVD装置将替代例如大容量的外存储装置(例如，所谓DVD-R或者DVD-RAM)或者录像机，并作为下一代影像存储装置(DVD记录器)，广泛地普及，而要实现它的最重要的课题就是提高写入速度。在能进行写入或者重写的DVD装置中，用于进行数据读出或者重写的拾波器光源，一般使用发出波长约650nm的红色光的半导体激光装置。因此，要提高DVD装置的写入速度，就必须得进行半导体激光装置的高输出化。下面，参照着附图，对能输出红色光的以往的半导体激光装置，进行说明。图9表示以往半导体激光装置的断面结构。如图9所示，在由n型GaAs构成的基板60的主面上，依次叠层有由AlGaInP构成的n型包覆层61、由AlGaInP层和GaInP层相互叠层构成的具有量子阱结构的活性层62、由AlGaInP层构成的第一p型包覆层63，以及由GaInP层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体的制造方法，其特征是：包括边添加镁边形成含磷的第一化合物半导体层的工序（ａ）和以不添加镁的方式在所述第一化合物半导体层上形成所述形成第二化合物半导体层的工序（ｂ）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大西俊一，井上谦一，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]