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本发明提供一种化合物半导体及其制造方法，边添加作为ｐ型掺杂剂的镁（Ｍｇ），边通过晶粒生长，在由ＧａＡｓ构成的基板（１０）上形成由ＡｌＧａＩｎＰ构成的第一半导体层（１１），接着，在第一半导体层（１１）上，以不添加镁的方式生长第二半导体层（１２...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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