氮化物基发光器件及其制造方法技术

提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成ｎ型包覆层、有源层和ｐ型包覆层。该发光器件还包括形成于ｐ型包覆层上由包含的ｐ型杂质的含锌（Ｚｎ）氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在ｐ型包覆层上形成由包含ｐ型杂质的含锌（Ｚｎ）氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与ｐ型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的Ｉ－Ｖ特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其是涉及一种带有透明薄膜电极结构的氮化物基发光器件及其方法，该透明薄膜电极结构设计为提供低的特定接触电阻和高透光率。
技术介绍
在利用诸如氮化镓(GaN)的氮化物基化合物半导体获得发光器件，例如发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)的过程中，半导体和电极之间的欧姆接触的形成是十分重要的。将GaN基发光器件分为顶部发光LEDs(TLEDs)和倒装芯片LEDs(FCLEDs)。在采用Ni/Au欧姆接触层的通常所用的TLEDs中，光经由与p型包覆层接触的欧姆接触层发出。Ni/Au层作为具有10-4-10-3Ωcm2优良特定接触电阻的半透明欧姆接触层。在氧气的气氛中在500-600℃的一温度下对Ni/Au层退火导致在p-GaN型包覆层和Ni层之间的分界面形成氧化镍(NiO)，由此降低了肖特基势垒高度(SBH)。因此，作为多数载流子的空穴可以容易地被注入到p-GaN型包覆层的表面，由此增加p型包覆层表面附近有效的载流子浓度。在p型包覆层上Ni/Au层的退火导致GaN中Mg-H复合物的分解，这通过增加GaN表面的中Mg杂质的浓度重新激活Mg杂质。由于重新激活，在p本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物基发光器件，包括：衬底；设置在衬底上的ｎ型包覆层；设置在ｎ型包覆层上的有源层；设置在有源层上的ｐ型包覆层；以及设置在ｐ型包覆层上由包含ｐ型杂质的含锌氧化物构成的欧姆接触层。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：成泰连，金庆国，宋俊午，林东皙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，光州科学技术院，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]