GaN基Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管及其制造方法技术

在此提供一种ＧａＮ基Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体发光器件及其制造方法。在该ＧａＮ基Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体发光器件中包括面对相反方向或面对相同方向的第一和第二电极，在它们之间夹着高阻蚀基片，以及用于产生激光或发光的材料层，第二电极与通过高阻蚀性基片的被蚀刻区域暴露的最外材料层的一个区域直接接触。导热层可以形成在高阻蚀性基片的底部，以覆盖最外材料层的暴露区域。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光器件以及其制造方法，更加特别涉及GaN基III-V族氮化物发光器件及其制造方法。
技术介绍
能够发射短波长可见光的化合物半导体基发光二极管或者激光二极管是众所周知的。具体来说，采用III族氮化物半导体制造的发光器件(发光二极管)或者激光二极管受到相当的注意，因为III族半导体是一种通过电子与空穴的复合而高效地发射蓝光的直接跃迁型材料(直接带隙材料)。参见图1，常规的基于GaN基III-V族氮化物的发光二极管包括在蓝宝石基片10上的n型GaN层12。n型GaN层12被分为第一和第二区域R1和R2。第一区域R1具有比第二区域R2更宽的宽度，并且它在形成之后不受到蚀刻的影响。同时，第二区域R2比第一区域R1更薄，因为它在形成之后受到蚀刻的影响。结果，在n型GaN层12的第一和第二区域R1和R2之间存在一个台阶。在n型GaN层12中的第一区域R1上顺序形成活性层16、p型GaN层18和透光的p型电极20。用于在封装工艺中粘合的焊盘层22。n型电极14形成在n型GaN层12的第二区域R2中。在图2中示出常规的GaN基III-V族氮化物激光二极管，其中n型和p型电极被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其中包括：高阻蚀性基片；其间设置有高阻蚀性基片的第一和第二电极；以及形成在高阻蚀性基片和第二电极之间用于产生激光的材料层，其中高阻蚀性基片的一个区域被除去，并且第一电极通过高阻蚀性基片的被除去区 域与该材料层相接触。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭准燮，李教烈，赵济熙，蔡秀熙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]