半导体发光器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面出射，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率。形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出光的发射角控制为期望值；以及形成具有该宽度的所述低折射率区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有这样的结构，在该结构中，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及　 　在所述化合物半导体层中的波导内，在要成为端面的区域中形成低折射率区域，来自所述波导的输出光从该端面射出，所述低折射率区域具有比所述波导中的其他区域更低的等效折射率，其中形成所述低折射率区域的所述步骤包括以下步骤：确 定所述低折射率区域在所述波导的纵向方向上的宽度从而将所述半导体发光器件的输出...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：住友弘幸，梶山训，上田诚，
申请(专利权)人：优迪那半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]