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本发明提供了一种半导体发光器件的制造方法，该方法包括以下步骤：形成化合物半导体层，该化合物半导体层具有以下结构，第一导电类型包层、有源层、第二导电类型包层依次层叠在基板上，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述复合半导体中的波导...
该专利属于优迪那半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过优迪那半导体有限公司授权不得商用。

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