本发明专利技术提供一种光半导体装置，其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本发明专利技术为一种光半导体装置，其具有：第一电极（２０），其设置在半导体芯片（３５）的表面和背面中的任一个面上，并与安装部（４０）的第一接合面（４３）接合；第二电极（３０），其设置在半导体芯片（３５）的侧面、表面和背面中的任一个面上，并且与第二接合面（４５）接合，该第二接合面（４５）设置在所述安装部（４０）上，并且与第一接合面（４７）交叉。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光半导体装置，特别涉及从半导体芯片的侧面输入和输 出电信号的光半导体装置。
技术介绍
作为在封装件、安装基板或夹具等安装部上安装有半导体芯片的光 半导体装置，例如，在专利文献1中公开了半导体激光芯片安装在衬底(Submount)上的光半导体装置。以专利文献1中的图1为参照，半导 体激光芯片表面(包覆层或活性层等动作层侧的面)朝下地安装在衬底 上。在半导体激光芯片的表面上设置有欧姆电极，欧姆电极与衬底电连 接。在半导体激光芯片的背面(半导体基板侧的面)上也设置有欧姆电 极，在欧姆电极上接合有接合线。日本特开2001-135891号公报在如专利文献1那样的技术中，为了提高半导体芯片与安装部之间 的对位精度，要通过图像识别来进行对位。使用了图像识别的对位的制 造成本很高。此外，对位精度还会受到图像识别精度的制约。特别是半 导体激光芯片要求以数Pm的精度进行对位。为了实现这样的对位，追 求不使用图像识别的简单且高精度的对位。另外，半导体激光芯片在表面和背面输入和输出电信号。因此，将 表面和背面之中的一方安装在衬底等上，对另一方进行引线接合。从而， 在表面或背面中的任一个面上接合有接合线。此时，半导体激光芯片的 活性层就会损伤。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种光半导体装置，其能够提高将半导体芯片安装到安装部上时的对位精度。本专利技术是一种光半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有 第一电极，其设置在半导体芯片的表面和背面中的任一个面上，并与安装部的第一接合面接合；以及第二电极，其设置在所述半导体芯片的侧 面、表面和背面中的任一个面上，并且与所述第二接合面接合，该第二 接合面设置在所述安装部上并且与第一接合面交叉。根据本专利技术，通过 将第二接合面与第二电极接合起来，能够简单且高精度地确定半导体芯 片的横向位置。即，由于能够将第二接合面作为对位的基准面，因此， 能够使半导体芯片与安装部之间的对位精度提高。除了将第二接合面用 作对位基准面之外，还能够将第二接合面与第二电极接合起来。从而， 能够通过第二接合面进行电信号的输入和输出，因此不需要结合到半导 体芯片上。本专利技术的光半导体装置，其特征在于，所述光半导体装置具有半 导体芯片；第一电极，其设置在所述半导体芯片的表面和背面中的至少 一方上；第二电极，其设置在所述半导体芯片的侧面、表面和背面中的 任一个面上；安装部，其用于安装所述半导体芯片；第一接合面，其设 置在所述对位部的平面上，并与所述第一电极接合；以及第二接合面， 其设置在与所述安装部的所述平面交叉的所述安装部的侧面上，并且与 所述第二电极接合。根据本专利技术，通过将第二接合面与第二电极接合起 来，能够简单且高精度地确定半导体芯片的横向位置。在上述结构中，能够为这样的结构所述第二电极设置在所述半导 体芯片的表面和背面中的任一个面上，并且有选择地设置在偏向所述半 导体芯片侧面的区域中。根据该结构，由于在分割半导体芯片的区域中 没有形成第二电极，因此，能够容易地进行半导体芯片的分割。在上述结构中，能够为这样的结构所述第二电极设置在所述半导 体芯片的表面和背面中的任一个面上，并且从所述半导体芯片的侧面到 所述第二电极的侧面的距离在3Pm以下。根据该结构，能够使第二电极 和第二接合面之间的接合牢固。在上述结构中，能够为这样的结构所述光半导体装置是半导体激光器或受光元件。根据该结构，在要求半导体芯片的对位精度的半导体 激光器或受光元件中，能够简单且高精度地确定半导体芯片的横向位置。在上述结构中，能够为这样的结构上述第二电极设置在切口部中， 该切口部形成在上述半导体芯片的侧面，并且从表面侧连通到背面侧。 根据该结构，能够使光半导体装置小型化。在上述结构中，能够为这样的结构在与所述第一接合面或所述第 二接合面连接的外部连接用接合线区域中，连接有接合线。此外，在上 述结构中，能够为这样的结构所述半导体芯片倒装式接合在所述第一 接合面上。另外，能够为这样的结构所述安装部的设置有所述第一接 合面的一部分具有导电性。根据本专利技术，通过将第二接合面与第二电极接合起来，能够简单且 高精度地确定半导体芯片的横向位置。附图说明图1 (a)至图1 (d)是表示实施例1的光半导体装置的制造工序的 剖面示意图。图2 (a)至图2 (c)是表示实施例1的光半导体装置的制造工序的 立体图(之一)。图3 (a)和图3 (b)是表示实施例1的光半导体装置的制造工序的 立体图(之二)。图4是表示实施例1的光半导体装置的制造工序的立体图(之三)。 图5是表示实施例1的光半导体装置的制造工序的立体图(之四)。 图6 (a)和图6 (b)是表示实施例2的光半导体装置的制造工序的 立体图。图7 (a)和图7 (b)是表示实施例2的变形例1的光半导体装置的 制造工序的立体图。图8 (a)和图8 (b)是表示实施例2的变形例2的光半导体装置的 制造工序的立体图。图9 (a)是表示实施例3的衬底的立体图，图9 (b)是表示实施例3的光半导体装置的立体图。图10 (a)是表示实施例4的衬底的立体图，图10 (b)是表示实施 例4的光半导体装置的立体图。图ll (a)是表示实施例5的衬底的立体图，图ll (b)是表示实施 例5的基板的立体图。图12是表示实施例5的光半导体装置的立体图。图13 (a)是表示实施例6的衬底的立体图，图13 (b)是表示实施 例6的光半导体装置的立体图。图14是表示实施例7的光半导体装置的立体图。图15是表示实施例8的半导体芯片的立体图。图16是表示实施例9所述的半导体芯片的立体图。标号说明10:基板；12:第二包覆层；14:活性层；16:第一包覆层；18: 动作层；20:第一电极；22:第三电极；30、 23、 28:第二电极；35: 半导体激光芯片；36:切口部；40:衬底；42、 44:钎料；43:第一接 合面；45:第二接合面；47、 49:电极；50:基板；52、 54:焊盘；56、 58:接合线。具体实施方式下面，参照附图，对本专利技术的实施例进行说明。 利用图1 (a)至图5对实施例1的光半导体装置的制造方法进行说 明。图1 (a)至图1 (d)是表示半导体激光芯片的制造工序的剖面示意 图。以图1 (a)为参照，在掺杂了 Si (硅)的n型GaAs (砷化镓)基板 10上，使用MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition:金属有 机化学气相淀积)方法，作为动作层18，生长由AlGalnP (磷化铝镓铟) 构成的n型的第二包覆层12、由InGaP/AlGalnP (磷化铟镓/磷化铝镓铟) 的MQW (Multiple Quantum Well:多量子阱)构成的活性层14、以及由 掺杂了 Zn (锌)的AlGalnP层构成的p型的第一包覆层16。在动作层18中形成到活性层14为止被除去的槽部24。活性层14的中央部是射出 激光的发光区域26 (参照图2 (a)以后的各图)。如图l (b)所示，在基板10的表面(形成有动作层18—侧的面) 的一部分区域的第一包覆层16上，使用蒸镀法或电镀法形成由Au (金) 等构成的第一电极20。如图1 (c)所示，磨削基本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光半导体装置，其特征在于， 所述光半导体装置具有： 第一电极，其设置在半导体芯片的表面和背面中的任一个面上，并与安装部的第一接合面接合；以及 第二电极，其设置在所述半导体芯片的侧面、表面和背面中的任一个面上，并且与所述第二接合面接合，该第二接合面设置在所述安装部上并且与第一接合面交叉。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：上田诚，后藤修，和泉茂一，
申请(专利权)人：优迪那半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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