金属裸线中料制备方法及金属裸线中料技术

本发明专利技术公开了一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，该方法包括步骤：通过提供基材；在基材上植入未镀绝缘层的裸线，以形成天线；在天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于导电介质上，形成基础中料，对基础中料进行层压，得到金属裸线中料。在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。卡生产效率。卡生产效率。

【技术实现步骤摘要】
金属裸线中料制备方法及金属裸线中料


[0001]本专利技术涉及智能卡制造领域，尤其涉及金属裸线中料制备方法及金属裸线中料。

技术介绍

[0002]目前，在智能卡的制造过程中，一般先进行中料的制备，也就是在绝缘基片上敷设镀有绝缘层的导线、固定IC（Integrated Circuit，集成电路)，并将镀有绝缘层的导线和IC焊接好，以完成中料的制备，在中料制备完成后，绝缘基片的上下表面均叠张层压粘合一表层，即完成智能卡的生产过程。
[0003]现有的中料生产工艺中，一般是直接将绝缘线圈的始端部分、末端部分焊接在IC上，传统的焊接方式中，所采用的焊接头均会产生高热，体积较大的焊接头在靠近焊台焊接过程中，操作稍有不慎就容易将绝缘基片焊穿，甚至将IC烧毁，并且在焊接过程中，需要先将天线两端的绝缘层去除，再将导线的导体与IC的焊台焊接并导通，因此，在传统工艺中制作程序繁琐，中料的不良率较高，导致了企业的智能卡生产效率低下的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，旨在解决降低智能卡生产效率低下的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种金属裸线中料制备方法，所述金属裸线中料制备方法包括步骤：提供基材；在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。
[0006]可选地，在提供基材的过程中，所述基材为预设厚度的PVC材料制得，其中，所述预设厚度小于厚度阈值，所述厚度阈值为5mm。
[0007]可选地，述在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线的步骤，包括：将所述基材放置于超声波埋线工位的工作台上；基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线。
[0008]其中，在所述基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线的过程中，所述天线的始端和末端分别位于线圈的内外两侧。
[0009]可选地，加入所述导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；所述导电介质包括锡膏、导电胶或异方性导电胶膜ACF；所述导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。
[0010]可选地，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质的过程中，当所述导电介质
为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；当所述导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。
[0011]可选地，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料的步骤，包括：将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，其中，所述芯片背面载带与所述始端和末端之间的天线贴合，所述芯片触点贴放在所述导电介质上；基于预设的温度和压力，对所述基础中料进行层压，通过所述层压的温度将所述导电介质熔化和固化，得到金属裸线中料，其中，所述芯片和所述金属裸线中料上的射频主体导通。
[0012]此外，本专利技术还提供了一种基于上述金属裸线中料制备方法制备得到的金属裸线中料，所述金属裸线中料包括：基材；天线，所述天线设置在所述基材上，所述天线包括始端和末端；导电介质，在所述始端和所述末端上加入所述导电介质；芯片，所述芯片包括芯片接触面、芯片背面载带和芯片触点，所述芯片接触面朝上，所述芯片背面载带与所述始端和所述末端之间的天线贴合，所述芯片触点与所述导电介质接触。
[0013]可选地，所述天线由未镀绝缘层的裸线按照设定形状植入至所述基材上而形成。
[0014]可选地，所述始端和所述末端分别位于线圈的内外两侧。
[0015]可选地，所述芯片触点和所述芯片背部载带位于所述芯片上所述芯片接触面的另一面。
[0016]本专利技术实施例提出的一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，通过提供基材；在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。通过上述方式，在基材上植入未镀绝缘层的天线，天线的始端和末端分为位于天线的线圈内外两侧，以形成两个焊台，在天线两端焊台加入导电介质，将芯片放置于导电介质上，通过层压的方式，使得芯片、天线和基材结合，得到金属裸线中料，在此过程中，焊接不需要开绝缘层、无需用跳线的方式使天线末端跨过线圈，操作工艺简单化，易于实现生产自动化，且降低了不良品及成本，以提高了智能卡生产效率。
附图说明
[0017]图1为本专利技术金属裸线中料制备方法第一实施例的流程示意图；图2为本专利技术金属裸线中料制备方法的工艺流程图；图3为本专利技术金属裸线中料制备方法中芯片贴合工艺示意图；图4为本专利技术金属裸线中料的结构剖视图。
[0018]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0019]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0020]本专利技术实施例的主要解决方案是：目前，在智能卡的制造过程中，一般先进行中料的制备，也就是在绝缘基片上敷设镀有绝缘层的导线、固定IC（Integrated Circuit，集成电路)，并将镀有绝缘层的导线和IC焊接好，以完成中料的制备，在中料制备完成后，绝缘基片的上下表面均叠张层压粘合一表层，即完成智能卡的生产过程。
[0021]现有的中料生产工艺中，一般是直接将绝缘线圈的始端部分、末端部分焊接在IC上，传统的焊接方式中，所采用的焊接头均会产生高热，体积较大的焊接头在靠近焊台焊接过程中，操作稍有不慎就容易将绝缘基片焊穿，甚至将IC烧毁，并且在焊接过程中，需要先将天线两端的绝缘层去除，再将导线的导体与IC的焊台焊接并导通，因此，在传统工艺中制作程序繁琐，中料的不良率较高，导致了企业的智能卡生产效率低下的问题。
[0022]本专利技术提供一种解决方案，适用于智能卡的制造，解决智能卡生产效率低下的技术问题。
[0023]本专利技术提出一种金属裸线中料制备方法以及基于该制备方法得到的金属裸线中料。
[0024]参照图1，图1为本专利技术金属裸线中料制备方法及金属裸线中料第一实施例提供一种金属裸线中料制备方法。
[0025]本专利技术实施例提供了金属裸线中料制备方法的实施例，需要说明的是，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
[0026]参照图2，图2为本专利技术金属裸线中料制备方法的工艺流程图，其中，图2的（a）为提供基材工艺，图2的（b）为天线的制作工艺，图2的（c）为加入导电介质工艺，图2的（d）为芯片贴合工艺，图2的（e）为层压工艺。
[0027]本实施例所述金属裸线中料制备方法包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属裸线中料制备方法，其特征在于，所述金属裸线中料制备方法包括以下步骤：提供基材；在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于所述天线的线圈内外两侧；在所述天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于所述导电介质上，形成基础中料，对所述基础中料进行层压，得到金属裸线中料。2.如权利要求1所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，在提供基材的过程中，所述基材为预设厚度的PVC材料制得，其中，所述预设厚度小于厚度阈值，所述厚度阈值为5mm。3.如权利要求1所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，所述在所述基材上植入未镀绝缘层的裸线，形成天线的步骤，包括：将所述基材放置于超声波埋线工位的工作台上；基于预设的裸线形状，将未镀绝缘层的裸线植入所述基材上，形成天线，其中，所述天线的始端和末端分别位于线圈的内外两侧。4.如权利要求1
‑
3中任一项所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，加入所述导电介质的方式包括滴入式、喷涂式或贴合式；所述导电介质包括锡膏、导电胶或异方性导电胶膜ACF；所述导电介质的形态包括膏体、液态、固态或混合介质。5.如权利要求4所述的金属裸线中料制备方法，其特征在于，在所述天线的始端和末端分别加入导电介质的过程中，当所述导电介质为锡膏或导电胶时，所述方式为滴入式；当所述导电介质为ACF时，所述方式为贴合式。6.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎理彬，邹大卡，黎理明，黎理杰，
申请(专利权)人：深圳源明杰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：