微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法技术

根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。移。移。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法


[0001]本专利技术涉及微型发光二极管(以下也称为“微型LED”。)等微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法。

技术介绍

[0002]近年来，对于以智能电话、液晶显示器、车载部件等为代表的电子设备，不仅需要高性能化，而且也同时要求节省空间化、节能化。根据这样的社会的要求，所搭载的电气电子部件也日益小型化
·
微细化，其组装工序也一年年地变得复杂，变得困难。
[0003]随着这样的微细化的元件的组装工序的复杂化，目前为止，进行了对每个工序更换适于各工序的粘着片，但具有作业性差、制造成本升高的问题。为了将其解决，在专利文献1中，提出了凹凸追随性、耐热性、耐化学品性全部优异、可在半导体晶片加工时的多个工序中使用的粘着片。
[0004]另外，在专利文献2中，提出了如下方法：通过使在蓝宝石基板生长的GaN外延晶片采用环氧系瞬间粘接剂与临时基板粘接，然后，采用激光剥离法使GaN层剥离，将与临时基板粘接的GaN外延晶片与导热
·
导电层接合，在高温下加热，从而临时基板脱落。如果使用该方法，能够得到从蓝宝石基板将GaN外延晶片剥离、将其转移至导热、导电优异的基板的器件。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：日本特开2015
‑
59179号公报
[0008]专利文献2：日本特表2015
‑
518265号公报

技术实现思路

>[0009]专利技术要解决的课题
[0010]但是，专利文献1中的粘着片的压敏粘合剂层包含紫外线固化型压敏粘合剂，粘接和剥离需要紫外线照射，因此工序繁杂。另外，压敏粘合剂的固化条件和粘着强度依赖于光强度，因此其调整变得必要，根据其调整的不同，可能会发生所谓的压敏粘合剂残留和脱落导致的收率降低等问题。
[0011]另外，在专利文献2中，在粘接于临时基板的GaN外延晶片与热传导
·
导电层在高温下接合的过程中，使环氧系瞬间粘接剂碳化，临时基板脱落，因此如果目标的器件、材料不具有达到能够使环氧系瞬间粘接剂碳化的温度的耐热性，则不能使用。另外，由于高温状态而在晶片中发生翘曲、剥离时的粘接剂残留、其清洗变得必要等课题多。
[0012]本专利技术鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，其中，在微型LED等微小结构体的转移中，能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此不需要适于各工序的新的临时固定材料，并且不需要采用该临时固定材料的临时固定工序和其除去工序，因此能够在无工序数增加的
情况下高精度、有效率地进行微小结构体的转移。
[0013]用于解决课题的手段
[0014]本专利技术人为了实现上述目的，进行了深入研究，结果发现：能够在没有增加工序数的情况下高精度、高效率地进行微型LED等微小结构体的转移的微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法，完成了本专利技术。
[0015]即，本专利技术提供：
[0016]1.微小结构体的转移方法，其至少包括：
[0017](i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；
[0018](ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；
[0019](iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；
[0020](iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；
[0021](v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，
[0022]2.根据1所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供体基板的基板为合成石英玻璃基板，
[0023]3.根据2所述的微小结构体的转移方法，其中，所述合成石英玻璃基板为对于6.01mm
×
6.01mm的区域采用白色干涉计以像素数1240
×
1240测定得到的空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度为10
12
nm4以下的合成石英玻璃基板，
[0024]4.根据1～3中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(i)中的贴合的工序为施加0.01～5kPa的载荷而进行的工序，
[0025]5.根据1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为如下工序：通过在将在所述供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板上的有机硅系橡胶层贴合的状态下，从所述供给基板的形成有所述多个微小结构体的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光，从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部剥离，转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板，
[0026]6.根据5所述的微小结构体的转移方法，其中，所述脉冲振荡产生的激光为KrF准分子激光，
[0027]7.根据5或6所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为蓝宝石基板，
[0028]8.根据5～7中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，在所述(ii)的工序后进行的(iii)中的清洗的工序为采用酸进行清洗的工序，
[0029]9.根据8所述的微小结构体的转移方法，其中，所述酸为选自盐酸、硝酸、硫酸中的酸，
[0030]10.根据1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为通过对于所述供给基板采用蚀刻将多个微小结构体的一部分或全部从所述供给基板分离、转移至所述供体基板的有机硅系橡胶层从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序，
[0031]11.根据10所述的微小结构体的转移方法，其中，所述蚀刻为湿法蚀刻，
[0032]12.根据10或11所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为砷化镓基板，
[0033]13.微小结构体的安装方法，其至少包含：
[0034](vi)使用在基板上具备由紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物形成的粘着层的微小结构体转印用压模，从临时固定有采用根据5～9中任一项所述的微小结构体的转移方法转移的多个微小结构体的供体基板选择性地拾取任意的微小结构体的工序，
[0035](vii)将采用所述微小结构体转印用压模拾取的微小结构体转移至电路基板上的所用的部位，将所述微小结构体与电路基板接合的工序，
[0036](viii)从所述微小结构体转印用压模将所述拾取的微小结构体分离、安装于所述电路基板的工序，
[0037]14.根据13所述的微小结构体的安装方法，其中，在所述(vi)的工序中，紫外线固化型有机硅压敏粘合剂组合物的固化物的粘着力比所述供体基板的有机硅系橡胶层的粘着力要强，
[0038]15.根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.微小结构体的转移方法，其至少包括：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序。2.根据权利要求1所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供体基板的基板为合成石英玻璃基板。3.根据权利要求2所述的微小结构体的转移方法，其中，所述合成石英玻璃基板为对于6.01mm
×
6.01mm的区域采用白色干涉计以像素数1240
×
1240测定得到的空间频率1mm
‑1以上的功率谱密度为10
12
nm4以下的合成石英玻璃基板。4.根据权利要求1～3中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(i)中的贴合的工序为施加0.01～5kPa的载荷而进行的工序。5.根据权利要求1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为如下工序：通过在将在所述供给基板的一面形成的多个微小结构体与供体基板上的有机硅系橡胶层贴合的状态下，从所述供给基板的形成有所述多个微小结构体的面的相反侧的面照射脉冲振荡产生的激光，从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部剥离，转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板。6.根据权利要求5所述的微小结构体的转移方法，其中，所述脉冲振荡产生的激光为KrF准分子激光。7.根据权利要求5或6所述的微小结构体的转移方法，其中，所述供给基板为蓝宝石基板。8.根据权利要求5～7中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，在所述(ii)的工序后进行的(iii)中的清洗的工序为采用酸进行清洗的工序。9.根据权利要求8所述的微小结构体的转移方法，其中，所述酸为选自盐酸、硝酸、硫酸中的酸。10.根据权利要求1～4中任一项所述的微小结构体的转移方法，其中，所述(ii)的工序为通过对于所述供给基板采用蚀刻将多个微小结构体的一部分或全部从所述供给基板分离、转移至所述供体基板的有机硅系橡胶层从而得到临时固定有多个微小结构体的供体...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川敬典，大堀敬司，上田修平，近藤和纪，小材利之，松本展明，北川太一，大竹滉平，川原实，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：