功率半导体模块制备方法及功率半导体模块技术

一种功率半导体模块制备方法，包括塑封功率器件形成功率半导体组件，在所述功率半导体组件表面形成第一散热面。加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料。冷却所述第一散热面的所述第一材料，以连接所述功率半导体组件和所述第一散热器。该功率半导体模块制备方法通过先塑封再焊接的形式制作功率半导体模块，使得功率半导体模块具有更佳的整体性，能够让功率半导体模块具有更强的防水性能，当这种功率半导体模块的第一散热器通过液冷带走热量时，冷却液不易渗透到功率半导体模块的功率半导体组件中，而且可以预先进行密封性能的检测，从而提高可靠性。本申请还提供一种功率半导体模块。种功率半导体模块。种功率半导体模块。

【技术实现步骤摘要】
一面通过第三材料焊接导体条带，所述导体条带连接所述第一件和第二件。所述第三材 料的熔点与所述第一材料熔点相等，或比第一材料高。
[0010]该功率半导体模块制备方法制备的功率半导体模块中，通过导体条带电性连接第一 件和第二件，第一件和第二件可以整体供电。而且第一件和第二件可以通过协作实现部 分功能。也即对第一件供电时，可以通过导体条带对第二件进行供电。第三材料的熔点 比第一材料高，或者第三材料的熔点与第一材料相同，能够使得在第一散热器与功率半 导体组件焊接时，第三材料不熔化。
[0011]基于第一方面，一种可能的实现方式中，所述加热位于第一散热器和所述第一散热 面之间的第一材料的步骤中，包括：通过超声波钎焊加热所述第一材料。
[0012]该功率半导体模块制备方法通过超声波钎焊的形式使得第一材料熔融，可以让功率 半导体模块外的局部升温达到第一材料的熔点温度，而功率半导体模块的其他地方温度 可以保持在相对较低的温度。功率半导体内部与第一材料处产生较大的温度梯度，从而 保护功率半导体内部的零件。而且超声波钎焊能够使得第一材料加热熔融后具有更优的 均一性，减少第一材料内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块制备方法，其特征在于，包括：塑封功率器件形成功率半导体组件，在所述功率半导体组件表面形成第一散热面；加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料；冷却所述第一散热面的所述第一材料，以连接所述功率半导体组件和所述第一散热器。2.如权利要求1所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述塑封功率器件形成功率半导体组件的步骤中，包括：所述功率器件的一面通过第二材料焊接第一基板，所述第一基板背离所述功率器件的一面形成所述第一散热面；所述第二材料的熔点与所述第一材料熔点相等，或比第一材料高。3.如权利要求2所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述塑封功率器件形成功率半导体组件的步骤中，还包括：所述功率器件包括第一件和第二件，在所述功率器件背离第一基板的一面通过第三材料焊接导体条带，所述导体条带连接所述第一件和第二件；所述第三材料的熔点与所述第一材料熔点相等，或比第一材料高。4.如权利要求3所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料的步骤中，包括：通过超声波钎焊加热所述第一材料。5.如权利要求4所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述超声波钎焊的温度范围为150
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180℃，所述第一材料包括多元合金焊锡膏，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括SAC305。6.如权利要求4所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述超声波钎焊的温度范围为210
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220℃，所述第一材料包括SnSb5，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括SnSb5。7.如权利要求4所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述超声波钎焊的温度范围为210
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220℃，所述第一材料包括多元合金焊锡膏和SAC305中的任一种，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括SnSb5。8.如权利要求3所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料的步骤中，包括：通过真空回流焊加热所述第一材料，所述第二材料与第三材料中熔点较高的一者比所述第一材料熔点高。9.如权利要求8所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述真空回流焊的温度范围为210
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220℃，所述第一材料包括多元合金焊锡膏和SAC305中的任一种，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括SnSb5。10.如权利要求8所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述真空回流焊的温度范围为240
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260℃，所述第一材料包括多元合金焊锡膏和SAC305中的任一种，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括高铅锡焊膏。11.如权利要求3所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料的步骤中，包括：
通过烧结加热所述第一材料。12.如权利要求11所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述烧结的温度范围为270
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290℃，所述第一材料包括纳米银，所述第二材料包括烧结银，所述第三材料包括高铅锡焊膏。13.如权利要求2所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，在所述塑封功率器件形成功率半导体组件的步骤中，还包括：所述功率器件背离所述第一基板的一面通过第四材料焊接导电垫片；所述导电垫片背离所述功率器件的一面通过第五材料焊接第二基板，所述第二基板背离所述功率器件的一面形成第二散热面；所述第四材料的熔点与所述第一材料熔点相等，或比第一材料高；所述第五材料的熔点与所述第一材料熔点相等，或比第一材料高。14.如权利要求13所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于：所述加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料的步骤中还包括：加热位于第二散热器和所述第二散热面之间的第一材料；所述加热位于第一散热器和所述第一散热面之间的第一材料的步骤后还包括：冷却所述第二散热面的所述第一材料，以连接所述功率半导体组件和所述第二散热器。15.如权利要求14所述的功率半导体模块制备方法，其特征在于，所述加热位于第一散热器和所述第一散热面...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜若阳，吕镇，郭朝阳，武伟，吴炳智，
申请(专利权)人：华为数字能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：