【技术实现步骤摘要】
一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法
[0001]本专利技术属于半导集成电路领域，进一步来说涉及半导集成电路封装领域，具体来说，涉及一种大功率WLCSP集成电路产品的散热方法。
技术介绍
[0002]在半导体集成电路领域，碳化硅和氮化镓功率半导体器件由于自身宽禁带半导体材料的特性优势，很多性能超越传统硅基功率器件，在高频、高效转换器中具有很强的应用优势。基于其独特的异质结构和二维电子气开发出的高电子迁移率晶体管，以更小的芯片尺寸来实现需要的电流容量，具有高击穿强度、低导通电阻和更快的开关速度。以碳化硅和氮化镓为核心的大功率半导体器件，支撑着新能源汽车充电桩、特高压、5G基站以及轨道交通系统的建设。为了充分发挥宽禁带半导体特性优势，除芯片内部结构设计及加工工艺以外，碳化硅和氮化镓功率半导体器件的封装已经成为重要的限制因素。击穿电压较高的功率器件需要在封装中配备额外的电绝缘结构，会引发更高的传导损耗，这就意味着封装结构需要同时在热管理和高速转换二者之间要寻求平衡，才能实现封装对于碳化硅和氮化镓裸芯片电学及热学性能的影响...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，将2颗以上性能指标完全匹配的同晶圆WLCSP芯片集成为一个整体，产品工作时，只使用其中的一颗WLCSP芯片，其余芯片作为可靠性容余备份，当主芯片使用寿命结束或电路损坏等不工作时，芯片与芯片间的安全切换功能开启，另一颗芯片开始工作，损坏的芯片继续作为散热渠道。2.根据权利要求1所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述氮化镓WLCSP功放管芯片的单颗尺寸等于或小于1mm*1mm*0.495mm，厚度等于或小于300μm
±
12.5μm，焊柱的数量为4个，焊柱的长和宽均为0.24mm，焊柱的厚度为195μm
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20μm，焊柱的节距为0.5mm。3.根据权利要求2所述的一种大功率WLCSP集成电路产品的封装散热方法，其特征在于，所述单颗氮化镓WLCSP功放管芯片封装产品的最大结温为133.7510℃，热阻结果为21.7502℃/...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹灿，潘琴，段方，胡至宇，徐方林，张子扬，吴瑾媛，王钊，
申请(专利权)人：贵州振华风光半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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