一种芯片电磁屏蔽封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体封装技术领域，公开了一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：S1、倒装上芯：在基板的上表面倒装芯片，芯片的金属凸块与基板上表面电性连接；S2、填胶：在芯片的金属凸块间填充底部填充胶；S3、金属溅射：在芯片的背面和侧面，及基板上未被底部填充胶覆盖到的区域进行金属溅射，形成电磁屏蔽层；S4、进行后续处理，得到芯片电磁屏蔽封装结构。本发明专利技术仅仅通过金属溅射工艺，在不改变的原有的封装结构的基础上引入电磁屏蔽层，制备工艺简单，易推广应用，在不增加封装尺寸的前提下，形成对芯片的有效电磁屏蔽。形成对芯片的有效电磁屏蔽。形成对芯片的有效电磁屏蔽。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片电磁屏蔽封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体封装
，特别涉及一种芯片电磁屏蔽封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]电磁干扰源所产生的干扰信号在一些特定的情况下(比如在一些电磁环境比较恶劣的情况下)若无法有效消除，将会进入CPU/GP等高端处理器的核心单元，从而干扰大规模集成电路，其导致不能正常工作或在错误状态下工作。但由于传统芯片封装形式仅着力增强CPU/GPU芯片的散热性能，忽视了对其进行电磁屏蔽的重要性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供芯片电磁屏蔽封装结构及其制备方法，解决了传统封装结构无法形成对芯片进行有效电磁防护的问题。
[0004]本专利技术是通过以下技术方案来实现：
[0005]一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0006]S1、倒装上芯：在基板的上表面倒装芯片，芯片的金属凸块与基板上表面电性连接；
[0007]S2、填胶：在芯片的金属凸块间填充底部填充胶；
[0008]S3、金属溅射：在芯片的背面和侧面，及基板上未被底部填充胶覆盖到的区域进行金属溅射，形成电磁屏蔽层；
[0009]S4、进行后续处理，得到芯片电磁屏蔽封装结构。
[0010]进一步，S3中，利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，形成离子束流，轰击溅射靶材表面，离子和溅射靶材表面原子发生动能交换，使溅射靶材表面原子离开溅射靶材并沉积在芯片和基板的表面。
[0011]进一步，当封装结构采用FCBGA封装格式时，S4中的后续处理为植球，具体为：在基板的背面焊盘植上锡球。
[0012]进一步，当封装结构采用FCCSP封装格式时，S4中的后续处理依次包括塑封、植球及切割；
[0013]塑封的过程为：对添加金属屏蔽层的芯片进行塑封；
[0014]植球的过程为：在基板的背面焊盘植上锡球；
[0015]切割的过程为：将整条基板切割成一颗一颗的封装颗粒。
[0016]本专利技术公开了一种芯片电磁屏蔽封装结构，包括基板，在基板上方倒装有芯片，芯片的背面和侧面包覆有电磁屏蔽层；
[0017]在芯片的金属凸块与基板间的区域填充底部填充胶；基板上未被底部填充胶覆盖到的区域包覆有电磁屏蔽层。
[0018]进一步，芯片的金属凸块材质为Sn或Cu。
[0019]进一步，基板上覆盖有铜层。
[0020]进一步，当封装结构采用FCBGA封装格式时，在基板的背面焊盘上植有锡球。
[0021]进一步，当封装结构采用FCCSP封装格式时，金属屏蔽层外包覆有塑封层，在基板的背面焊盘上植有锡球。
[0022]进一步，电磁屏蔽层在基板某处接地线，形成完全电磁屏蔽。
[0023]与现有技术相比，本专利技术具有以下有益的技术效果：
[0024]本专利技术公开了一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，在填胶后进行金属溅射，在基板和芯片上形成电磁屏蔽层。本专利技术仅仅通过金属溅射工艺，在不改变的原有的封装结构的基础上引入电磁屏蔽层，制备工艺简单，易推广应用，在不增加封装尺寸的前提下，形成对芯片的有效电磁屏蔽。
[0025]进一步，电磁屏蔽层在某处通过基板引脚接地，形成对封装结构的完全电磁屏蔽。
附图说明
[0026]图1为本专利技术实施例1的一种FCBGA芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法的流程图；
[0027]图2为实施例1在制备得到的一种FCBGA芯片电磁屏蔽封装结构；
[0028]图3为实施例2在制备得到的一种FCCSP芯片电磁屏蔽封装结构；
[0029]图4为本专利技术实施例2的一种FCCSP芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法的流程图。
[0030]其中，1为芯片，2为金属凸块，3为电磁屏蔽层，4为底部填充胶，5为基板，6为锡球，7为铜层，8为塑封层。
具体实施方式
[0031]下面结合具体的实施例对本专利技术做进一步的详细说明，所述是对本专利技术的解释而不是限定。
[0032]实施例1
[0033]如图1所示，本专利技术公开了一种FCBGA芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0034]S1、倒装上芯：在基板5的上表面倒装芯片1，芯片1的金属凸块2与基板5上表面电性连接；
[0035]S2、填胶：在芯片1的金属凸块2间填充底部填充胶4；
[0036]S3、金属溅射：在芯片1的背面和侧面，及基板5上未被底部填充胶4覆盖到的区域进行金属溅射，形成电磁屏蔽层3；
[0037]S4、植球：在基板5的背面焊盘植上锡球6，得到如图2所示的FCBGA芯片电磁屏蔽封装结构。
[0038]该实施例制成的一种FCBGA电磁屏蔽封装结构，包括基板5，在基板5上方倒装有芯片1，芯片1的背面和侧面包覆有电磁屏蔽层3；在芯片1的金属凸块2与基板5间的区域填充底部填充胶4；基板5上未被底部填充胶4覆盖到的区域包覆有电磁屏蔽层3；在基板5的背面焊盘上植有锡球6。
[0039]芯片1的金属凸块2材质为Sn，基板5上覆盖有铜层7。
[0040]更优地，电磁屏蔽层3在基板5某处接地线，形成完全电磁屏蔽。
[0041]实施例2
[0042]如图4所示，本专利技术公开了一种FCCSP芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，包括以下步骤：
[0043]S1、倒装上芯：在基板5的上表面倒装芯片1，芯片1的金属凸块2与基板5上表面电性连接；
[0044]S2、填胶：在芯片1的金属凸块2间填充底部填充胶4；
[0045]S3、金属溅射：在芯片1的背面和侧面，及基板5上未被底部填充胶4覆盖到的区域进行金属溅射，形成电磁屏蔽层3；
[0046]S4、塑封：对添加金属屏蔽层的芯片1进行塑封；
[0047]S5、植球：在基板5的背面焊盘植上锡球6；
[0048]S6、切割：将整条基板5切割成一颗一颗的封装颗粒，得到如图3所示的FCCSP芯片电磁屏蔽封装结构。
[0049]该实施例制成的一种FCCSP电磁屏蔽封装结构，包括基板5，在基板5上方倒装有芯片1，芯片1的背面和侧面包覆有电磁屏蔽层3；在芯片1的金属凸块2与基板5间的区域填充底部填充胶4；基板5上未被底部填充胶4覆盖到的区域包覆有电磁屏蔽层3；金属屏蔽层外包覆有塑封层8，在基板5的背面焊盘上植有锡球6。
[0050]芯片1的金属凸块2材质为Cu，基板5上覆盖有铜层7。
[0051]更优地，电磁屏蔽层3在基板5某处接地线，形成完全电磁屏蔽。
[0052]经过对实施例制备得到的芯片1电磁屏蔽封装结构进行验证，起到了电磁屏蔽效果。
[0053]金属溅射的具体过程为：利用离子源产生的离子(Ar等惰性气体)，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击溅射靶材表面(本案例中为高纯金属)，离子和溅射靶材表面原子发生动能交换，使溅射靶材表面原子离开溅射靶材并沉积在芯片1和基板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、倒装上芯：在基板(5)的上表面倒装芯片(1)，芯片(1)的金属凸块(2)与基板(5)上表面电性连接；S2、填胶：在芯片(1)的金属凸块(2)间填充底部填充胶(4)；S3、金属溅射：在芯片(1)的背面和侧面，及基板(5)上未被底部填充胶(4)覆盖到的区域进行金属溅射，形成电磁屏蔽层(3)；S4、进行后续处理，得到芯片电磁屏蔽封装结构。2.根据权利要求1所述的一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，S3中，利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，形成离子束流，轰击溅射靶材表面，离子和溅射靶材表面原子发生动能交换，使溅射靶材表面原子离开溅射靶材并沉积在芯片(1)和基板(5)的表面。3.根据权利要求1所述的一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，当封装结构采用FCBGA封装格式时，S4中的后续处理为植球，具体为：在基板(5)的背面焊盘植上锡球(6)。4.根据权利要求1所述的一种芯片电磁屏蔽封装结构的制备方法，其特征在于，当封装结构采用FCCSP封装格式时，S4中的后续处理依次包括塑封、植球及切割；塑封的过程为：对添加金属屏蔽层的芯片(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：周健威，胡金花，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：