【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体射频封装，涉及高集成度的封装结构制造领域，具体涉及一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构及制造方法。
技术介绍
1、sip：即系统级封装(system in a package)，是一种高度集成化的芯片封装方式。本方式通过将多个芯片或并列封装于一个封装体中，形成了一个完整的系统。在这个封装体内，可以集成多种不同功能的芯片，如处理器、存储器、被动元件、连接器、天线等。
2、近些年来，随着摩尔定律逐渐受限，射频类产品的模组化成为了未来发展趋势，但是模组化意味着高密度器件的集成，在工作的过程中会产生大量的热量，因此，在封装过程中，如何进行散热，成为了封装设计过程中不可忽视的一个重要环节。
3、当前，传统的散热盖材质，散热盖与芯片之间的热膨胀系数(cte)经常难以匹配，由于需要通过塑封体导热，导致传热效率低、且塑封体需要占据大量的封装面积，因此，无法满足射频类产品的模组化小型化、轻量化的要求。
技术实现思路
1、为了克服上述技术的缺点，本专利技术提供一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构及制造方法，采用本封装结构及制造方法能够解决传统散热盖材质的传热效率低、占据封装面积较大的技术问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用如下
技术实现思路
：
3、一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构，包括基板；
4、所述基板的双面均倒装有芯片并注塑有塑封体；
5、所述基板正面焊接有导热金属片，且导热金属片将正面塑
6、进一步地，所述基板背面的芯片的露出部分溅射有铟靶；所述基板正面的塑封体的外表面溅射覆盖有屏蔽层，所述屏蔽层采用铟靶。
7、一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，包括：
8、向基板顶部注塑，同时在基板正面焊接导热金属片，注塑得到的第一塑封体由导热金属片分隔成内外双层塑封体结构，内层塑封体将贴装在基板正面的第一芯片和电容包裹；
9、在基板背面依次进行倒装上芯、植球及塑封处理，得到高散热sip射频模组双面塑封封装结构。
10、进一步地，所述导热金属片采用铟片。
11、进一步地，在基板背面进行塑封处理后，对基板背面进行研磨处理，使得基板背面的第二芯片与锡球露出；对第二芯片的露出部分进行溅射靶材处理。
12、进一步地，对基板背面进行研磨处理之后，还包括如下过程：
13、采用镭射钻孔技术将锡球周围的第二塑封体进行激光镭射，使得镭射后的锡球露出，对镭射后的锡球进行回流焊，使得锡球重塑球形结构。
14、进一步地，还包括：在基板背面依次进行倒装上芯、植球及塑封处理后，对所述高散热sip射频模组双面塑封封装结构外表面进行溅射靶材处理，使得高散热sip射频模组双面塑封封装结构外表面覆盖屏蔽层。
15、进一步地，所述靶材采用由于钛、镍钒合金及铟制成的铟靶。
16、进一步地，采用dps与smt工艺，将第一芯片倒装在基板正面，将电容贴装在基板正面，并将第一芯片与基板键合。
17、进一步地，采用smt工艺，利用锡膏将导热金属片焊接在基板正面。
18、相比现有技术，本专利技术具有如下有益效果：
19、本专利技术还提供一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，本制造方法通过向基板顶部注塑并同时在基板正面焊接导热金属片，使得导热金属片将注塑得到的第一塑封体分隔成内外双层塑封体结构；相比传统的散热盖材质，采用导热金属片能够很好地匹配芯片之间的热膨胀系数，内外双层塑封体结构之间通过导热金属片实现热传导，有效地提升了热传导效率；并且采用导热金属片减小了塑封体占用的封装面积，使得本封装结构具有良好的散热效果，满足了射频类产品的模组化小型化、轻量化的要求；本方法原理简单，便于实施，在提高射频模组集成度的同时，实现了高效的热传导，实现了机械和热性能的极佳组合。
20、优选地，本专利技术中，导热金属片采用铟片，利用铟金属作为导热材料，可以更好的与芯片之间的热膨胀系数匹配，减轻机械应力与吸收应变；并且使得封装结构具备更高的导热性，可以提供更优良的散热效果。
21、优选地，本专利技术中，在基本背面的第二芯片的露出部分进行溅射靶材处理，同时提升了封装结构底部的散热效果。
22、进一步优选地，本专利技术中，在高散热sip射频模组双面塑封封装结构外表面进行溅射靶材处理，使得封装结构外表面覆盖屏蔽层；一方面，屏蔽层为封装结构保证了更好的屏蔽效果；另一方面，还进一步提升了封装结构的散热效果；更重要的是，作为本专利技术一优选方案，与第二芯片的露出部分进行溅射靶材处理相互配合实施，形成了六面溅射工艺，有别于传统的工艺，使得封装结构在每个面均具有良好的散热效果，极大地提升了整个封装结构的散热性能。
23、更进一步优选地，本专利技术中，靶材采用由于钛、镍钒合金及铟制成的铟靶，钛作为基层溅射在封装结构外表面，镍钒合金在钛上提升了稳定性，铟材质位于最上方，保证了良好的散热性能，实现了机械和热性能的极佳组合。
24、本专利技术提供一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构，本封装结构在基板的双面均倒装有芯片并注塑有塑封体，基板正面焊接有导热金属片，且导热金属片将正面塑封体分隔成内外双层塑封体结构；本封装结构中由于导热金属片的设置，不仅保证了良好的散热性能，并且减小了整个塑封体占用面积，满足了射频类产品的模组化小型化、轻量化的要求，具有良好的推广应用价值。
25、优选地，本专利技术中，基板背面的芯片的露出部分溅射有铟靶，并且基板正面的塑封体的外表面溅射覆盖有屏蔽层，屏蔽层同样采用铟靶，使得本封装结构的六个面散热性能均得到了提升，提高射频模组集成度的同时，实现了高效的热传导。
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1.一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构，其特征在于，包括基板(1)；
2.跟据权利要求1所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构，其特征在于，所述基板(1)背面的芯片的露出部分溅射有铟靶(9)；所述基板(1)正面的塑封体的外表面溅射覆盖有屏蔽层(7)，所述屏蔽层(7)采用铟靶(9)。
3.一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求1所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，所述导热金属片采用铟片(5)。
5.根据权利要求1所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，在基板(1)背面进行塑封处理后，对基板(1)背面进行研磨处理，使得基板(1)背面的第二芯片(8)与锡球(10)露出；对第二芯片(8)的露出部分进行溅射靶材处理。
6.根据权利要求5所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，对基板(1)背面进行研磨处理之后，还包括如下过程：
7.根据权利要求3或5所述的一种高散热
8.根据权利要求7所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，所述靶材采用由于钛、镍钒合金及铟制成的铟靶(9)。
9.根据权利要求3所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，采用DPS与SMT工艺，将第一芯片(2)倒装在基板(1)正面，将电容(3)贴装在基板(1)正面，并将第一芯片(2)与基板(1)键合。
10.根据权利要求3所述的一种高散热SIP射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，采用SMT工艺，利用锡膏将导热金属片焊接在基板(1)正面。
...【技术特征摘要】
1.一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构，其特征在于，包括基板(1)；
2.跟据权利要求1所述的一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构，其特征在于，所述基板(1)背面的芯片的露出部分溅射有铟靶(9)；所述基板(1)正面的塑封体的外表面溅射覆盖有屏蔽层(7)，所述屏蔽层(7)采用铟靶(9)。
3.一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求1所述的一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，所述导热金属片采用铟片(5)。
5.根据权利要求1所述的一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，在基板(1)背面进行塑封处理后，对基板(1)背面进行研磨处理，使得基板(1)背面的第二芯片(8)与锡球(10)露出；对第二芯片(8)的露出部分进行溅射靶材处理。
6.根据权利要求5所述的一种高散热sip射频模组双面塑封封装结构的制造方法，其特征在于，对...
【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏轩，陈兴隆，胡锐刚，
申请(专利权)人：华天科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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