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本发明公开了一种金属裸线中料制备方法及金属裸线中料，该方法包括步骤：通过提供基材；在基材上植入未镀绝缘层的裸线，以形成天线；在天线的始端和末端分别加入导电介质；将预设的芯片放置于导电介质上，形成基础中料，对基础中料进行层压，得到金属裸线中料...
该专利属于深圳源明杰科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳源明杰科技股份有限公司授权不得商用。

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