微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法制造方法及图纸

本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法。所述微电子装置包括：导柱结构，其竖直延伸穿过隔离材料；导电线，其电耦合到所述导柱结构；所述导柱结构和所述导电线之间的接触结构；以及所述导电线和所述接触结构之间的互连结构。所述导电线包括钛、钌、铝和钼中的一或多个。所述互连结构包括不同于所述接触结构的材料组成和所述导电线的材料组成中的一或多个的材料组成。中的一或多个的材料组成。中的一或多个的材料组成。

【技术实现步骤摘要】
微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求2020年8月11日提交的第16/990,518号美国专利申请“包含导电结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统和方法(MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING CONDUCTIVE STRUCTURES,AND RELATED MEMORY DEVICES,ELECTRONIC SYSTEMS,AND METHODS)”的提交日的权益。


[0003]在各种实施例中，本公开总体上涉及微电子装置设计和制造的领域。更确切地说，本公开涉及包含导电结构的微电子装置，并且涉及相关存储器装置、电子系统和微电子装置形成方法。

技术介绍

[0004]微电子行业的持续目标是增加例如非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)的存储器装置的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器单元数目)。增大非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也被称作“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规的竖直存储器阵列包含延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子装置，其包括：导柱结构，其竖直延伸穿过隔离材料；导电线，其电耦合到所述导柱结构，所述导电线包括钛、钌、铝和钼中的一或多个；所述导柱结构和所述导电线之间的接触结构；以及所述导电线和所述接触结构之间的互连结构，所述互连结构包括不同于所述接触结构的材料组成和所述导电线的材料组成中的一或多个的材料组成。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述导电线直接物理接触所述互连结构，并且所述互连结构直接物理接触所述接触结构。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述导柱结构的上部部分内的导电插塞结构，所述导电插塞结构直接物理接触所述接触结构。4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述接触结构和所述互连结构中的一或多个具有比所述导电线大的电导率。5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述接触结构包括以下中的一或多个：磷、砷、锑、铋、硼、铝、镓、碳、氟、氯、溴和氩。6.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括在所述隔离材料和所述接触结构的填充材料之间的导电衬里材料。7.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述导电衬里材料包括氮化钛，且所述接触结构的所述填充材料包括钨。8.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：在所述导电线上的介电结构；以及在横向相邻的导电线之间的气隙，所述气隙横向邻近于所述导电线，其中所述气隙的上部部分横向邻近于所述介电结构延伸，且所述气隙的下部部分横向邻近于所述隔离材料的段延伸。9.根据权利要求8所述的微电子装置，其中所述隔离材料的部分形成在至少两个连续侧上围绕所述气隙的L形结构。10.一种存储器装置，其包括：竖直延伸的存储器单元串；存取线，其与所述竖直延伸的存储器单元串电连通且沿第一水平方向延伸；数据线，其与所述竖直延伸的存储器单元串电连通且沿第二水平方向延伸，所述第二水平方向基本上横向于所述第一水平方向；互连结构，其竖直插入于所述数据线和所述竖直延伸的存储器单元串之间并与其电连通；以及接触结构，其竖直插入于所述互连结构和所述竖直延伸的存储器单元串之间并与其电连通，所述接触结构包括钨，且所述数据线包括单相材料，包括钌或钼。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述互连结构包括阿尔法相钨填充材料和横向邻近于所述阿尔法相钨填充材料的贝塔相钨衬里材料。12.根据权利要求10或权利要求11所述的存储器装置，其中所述互连结构的材料组成与所述数据线的材料组成基本上相同。13.根据权利要求10或权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括沿所述第一水平
方向分隔开所述数据线的气隙，其中所述气隙沿所述第一水平方向的宽度相对大于所述数据线沿所述第一水平方向的宽度。14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述气隙的一部分竖直延伸到横向邻近的数据线的上表面的平面上方，且所述气隙的一部分竖直...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：