显示设备制造技术

提供了一种包括具有改善的特性并包含薄膜晶体管的电路的显示设备。所述显示设备包括：第一层间绝缘层，布置在基底上；第一半导体层，布置在第一层间绝缘层上，并且包括氧化物半导体材料；第一栅电极，布置在第一半导体层上；第二层间绝缘层，布置在第一栅电极上；以及第一电极层，布置在第二层间绝缘层上，并且通过穿透第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到第一半导体层，其中，第一半导体层包括与第一接触孔对应的开口，并且第一电极层与开口的内表面接触。表面接触。表面接触。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请要求于2020年8月10日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0099939号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]一个或更多个实施例涉及一种显示设备，该显示设备包括具有改善的特性并包含薄膜晶体管的电路。

技术介绍

[0003]随着显示技术的领域的快速发展，已经引入了具有优异特性的各种显示设备。这种特性包括减小的厚度、更轻的重量和低功耗。在显示设备之中，具体地，有机发光显示设备不仅由于宽视角和优异的对比度而且由于快速响应速度而作为下一代显示设备受到关注。
[0004]这种显示设备可以包括薄膜晶体管(TFT)、电容器等作为驱动电路。薄膜晶体管可以包括有源层和栅电极，有源层包括沟道区、源区和漏区，栅电极通过栅极绝缘层与有源层电绝缘。通常，薄膜晶体管的有源层可以包括非晶硅或多晶硅。
[0005]将理解的是，该
技术介绍
部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景。然而，该
技术介绍
部分还可以包括想法、概念或认识，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示设备，所述显示设备包括：第一层间绝缘层，布置在基底上；第一半导体层，布置在所述第一层间绝缘层上，并且包括氧化物半导体材料；第一栅电极，布置在所述第一半导体层上；第二层间绝缘层，布置在所述第一栅电极上；以及第一电极层，布置在所述第二层间绝缘层上，并且通过穿透所述第二层间绝缘层的第一接触孔电连接到所述第一半导体层，其中，所述第一半导体层包括与所述第一接触孔对应的开口，并且所述第一电极层与所述开口的内表面接触。2.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述基底的上表面与所述开口的所述内表面之间的角度为30
°
或更大。3.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述氧化物半导体材料是非晶氧化物半导体材料。4.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一电极层与所述第一层间绝缘层的通过所述开口暴露的至少一部分接触。5.如权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一层间绝缘层包括对应于所述开口的槽。6.如权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一接触孔的内表面的斜率和所述槽的内表面的斜率比所述开口的所述内表面的斜率陡。7.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一接触孔的内表面的斜率比所述开口的所述内表面的斜率陡。8.如权利要求1所述的显示设备，其中，所述开口的所述内表面包括具有不同角度的至少两个表面。9.如权利要求8所述的显示设备，其中，所述开口的所述内表面包括具有不同角度的第一表面和第二表面，所述第一表面具有比所述第二表面的表面积大的表面积，并且所述第一表面与所述基底的上表面之间的角度为30
°
或更大。10.如权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层设置在所述开口的所述内表面的所述第二表面与所述第一电极层之间的至少一部分上。11.如权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一半导体层包括与所述金属氧化物层接触的部分，并且所述第一半导体层的所述部分包括：上层部分，包括结晶金属氧化物；以及下层部分，包括非晶氧化物半导体材料。12.如权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一电极层包括：第一金属层和第三金...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宝花，朴英吉，金敏旭，禹星旭，安那璃，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：