发光元件、制造发光元件的方法以及显示装置制造方法及图纸

公开了一种发光元件、制造发光元件的方法以及显示装置。所述发光元件包括：第一半导体层，第一半导体层被掺杂以具有第一极性；第二半导体层，第二半导体层被掺杂以具有与第一极性不同的第二极性；发光层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；壳层，形成在第一半导体层、发光层和第二半导体层的侧表面上，壳层包括二价金属元素；以及绝缘膜，覆盖壳层的外表面且围绕发光层的侧表面。表面且围绕发光层的侧表面。表面且围绕发光层的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
发光元件、制造发光元件的方法以及显示装置


[0001]公开涉及一种发光元件、制造该发光元件的方法以及显示装置。

技术介绍

[0002]随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。因此，正在使用诸如有机发光显示器和液晶显示器的各种类型的显示装置。
[0003]显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。作为发光显示面板，显示面板可以包括诸如发光二极管(LED)的发光元件。例如，LED可以是使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)，或者可以是使用无机材料作为荧光材料的无机LED。

技术实现思路

[0004]公开的实施例提供了一种发光元件和制造该发光元件的方法，该发光元件包括半导体层和形成在半导体层的外表面上的壳层从而使半导体层中的任何缺陷被补偿。
[0005]公开的实施例也提供了一种包括发光元件从而具有改善的发射效率的显示装置。
[0006]然而，公开的实施例不限于在此阐述的实施例。通过参照下面给出的公开的具体实施方式，公开的以上和其它实施例对于公开所属领域的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层，所述第一半导体层被掺杂以具有第一极性；第二半导体层，所述第二半导体层被掺杂以具有与所述第一极性不同的第二极性；发光层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；壳层，形成在所述第一半导体层的侧表面、所述发光层的侧表面和所述第二半导体层的侧表面上，所述壳层包括二价金属元素，或者所述壳层形成为在所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层中掺杂有所述二价金属元素的区域；以及绝缘膜，覆盖所述壳层的外表面且围绕所述发光层的所述侧表面。2.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：电极层，设置在所述第二半导体层上，其中，所述绝缘膜围绕所述电极层的外表面的至少一部分、所述发光层的所述侧表面和所述第二半导体层的所述侧表面。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述壳层直接设置在所述第一半导体层的所述侧表面、所述发光层的所述侧表面和所述第二半导体层的所述侧表面上，以至少与所述第一半导体层形成物理界面。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述壳层包括ZnS、ZnSe、MgS、MgSe、ZnMgS和ZnMgSe中的至少一种。5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述壳层具有0.5nm至10nm的厚度。6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述壳层形成为在所述第一半导体层的所述侧表面、所述发光层的所述侧表面和所述第二半导体层的所述侧表面中掺杂有所述二价金属元素的所述区域。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述二价金属元素是Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn和Cd中的一种。8.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述壳层掺杂有在10
10
/cm3至10
18
/cm3范围内的量的所述二价金属元素。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，所述壳层具有在至的范围内的厚度。10.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述绝缘膜形成为包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氧化铪中的一种的单个层或多层，并且具有在10nm至200nm范围内的厚度。11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，所述绝缘膜包括：第一层，直接设置在所述壳层上；以及第二层，直接设置在所述第一层上，所述第一层包括氧化硅，并且所述第二层包括氧化铝。12.根据权利要求2所述的发光元件，所述发光元件还包括：第三半导体层，设置在所述第一半导体层与所述发光层之间，第四半导体层，设置在所述第二半导体层与所述发光层之间，以及
第五半导体层，设置在所述第二半导体层与所述第四半导体层之间，其中，所述壳层形成在所述第三半导体层、所述第四半导体层和所述第五半导体层的侧表面上。13.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：在目标基底上形成彼此分隔开的多个元件棒；在所述多个元件棒的外表面的一部分上形成包括二价金属元素的壳层，并且在所述壳层上形成绝缘膜；以及将其上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：金世勳，李昌熙，高崙赫，金德起，朴埈佑，李秀浩，河在国，郑然九，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：