发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法技术

本申请实施例提供一种发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法，包括：层叠设置的第一类型半导体层、多量子阱有源层、电子阻挡层、第二类型半导体层，以及与第一类型半导体层电连接的第一类型电极和与第二类型半导体层电连接的第二类型电极，其中，第一类型半导体层及第二类型半导体层一者为包括氢化非晶氮化硅的P型半导体层，另一者为N型半导体层。本申请采用P型氢化非晶氧化硅半导体层替代传统的P型氮化镓铝层，由于p型氢化非晶氧化硅材料不存在极化效应，且具有较低的势垒，因此更容易实现高空穴掺杂浓度，进而能够有效提高紫外发光二极管器件的空穴注入效率和发光效率。和发光效率。和发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法。

技术介绍

[0002]紫外发光二极管(Ultraviolet Light Emitting Diode，UVLED)光源产业是一个新兴的高科技产业，广泛应用在杀菌、空气净化、分析检测、紫外光疗等领域。但P型氮化镓铝(AlGaN)材料的低迁移率和低空穴浓度已成为制约紫外发光二极管发展的瓶颈，这是由于氮化镓铝(AlGaN)材料作为P型半导体层，因其较高的镁(Mg)受主杂质激活能导致镁(Mg)掺杂浓度极低，造成P型氮化镓铝(AlGaN)层低空穴浓度和低导电率，进而造成紫外发光二极管的空穴注入困难的问题，影响紫外发光二极管的发光效率。
[0003]因此，亟需一种新的发光二极管结构、电子设备及发光二极管结构的制作方法。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种发光二极管结构、电子设备及制作方法，旨在能够提高发光二极管的出光效率。
[0005]本申请实施例一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：层叠设置的第一类型半导体层(10)、多量子阱有源层(20)、电子阻挡层(30)、第二类型半导体层(40)，以及与所述第一类型半导体层(10)电连接的第一类型电极(50)和与所述第二类型半导体层(40)电连接的第二类型电极(60)，其中，所述第一类型半导体层(10)及所述第二类型半导体层(20)一者为包括氢化非晶氮化硅的P型半导体层，另一者为N型半导体层。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述P型半导体层是于非晶氮化硅半导体层中重掺杂氢元素形成。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述P型半导体层的厚度是20nm～100nm，包括端点值。4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述电子阻挡层(30)包括本征Al
z
GaN或Al
z
N；所述多量子阱有源层(20)包括交替设置的多个Al
x
GaN阱层和多个Al
y
GaN垒层，其中x<y，z≥y。5.一种电子设备，包括如权利1至4任一项所述的发光二极管结构；所述发光二极管结构为紫外光发光二极管；所述发光二极管结构为垂直结构型发光二极管或者水平结构型发光二极管。6.一种发光二极管结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底(70...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛德丰，聂泳忠，
申请(专利权)人：西人马联合测控泉州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：