发光二极管结构及电子设备制造技术

本申请实施例提供一种发光二极管结构及电子设备，包括：层叠设置的第一类型半导体层、多量子阱有源层、电子阻挡层、第二类型半导体层，以及与第一类型半导体层电连接的第一类型电极和与第二类型半导体层电连接的第二类型电极，其中，第一类型半导体层及第二类型半导体层一者为包括氢化非晶氮化硅的P型半导体层，另一者为N型半导体层。本申请采用P型氢化非晶氧化硅半导体层替代传统的P型氮化镓铝层，由于p型氢化非晶氧化硅材料不存在极化效应，且具有较低的势垒，因此更容易实现高空穴掺杂浓度，进而能够有效提高紫外发光二极管器件的空穴注入效率和发光效率。件的空穴注入效率和发光效率。件的空穴注入效率和发光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构及电子设备


[0001]本专利技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种发光二极管结构及电子设备。

技术介绍

[0002]紫外发光二极管(Ultraviolet Light Emitting Diode，UVLED)光源产业是一个新兴的高科技产业，广泛应用在杀菌、空气净化、分析检测、紫外光疗等领域。但P型氮化镓铝(AlGaN)材料的低迁移率和低空穴浓度已成为制约紫外发光二极管发展的瓶颈，这是由于氮化镓铝(AlGaN)材料作为P型半导体层，因其较高的镁(Mg)受主杂质激活能导致镁 (Mg)掺杂浓度极低，造成P型氮化镓铝(AlGaN)层低空穴浓度和低导电率，进而造成紫外发光二极管的空穴注入困难的问题，影响紫外发光二极管的发光效率。
[0003]因此，亟需一种新的发光二极管结构及电子设备。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种发光二极管结构及电子设备，旨在能够提高发光二极管的出光效率。
[0005]本申请实施例一方面提供了一种发光二极管结构，包括：层叠设置的第一类型半导体层、多量子阱有源层、电子阻挡层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：层叠设置的第一类型半导体层(10)、多量子阱有源层(20)、电子阻挡层(30)、第二类型半导体层(40)，以及与所述第一类型半导体层(10)电连接的第一类型电极(50)和与所述第二类型半导体层(40)电连接的第二类型电极(60)，其中，所述第一类型半导体层(10)及所述第二类型半导体层(40)一者为P型氢化非晶氮化硅半导体层，另一者为N型半导体层。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述P型氢化非晶氮化硅半导体层包括P型非晶氮化硅半导体层，所述P型非晶氮化硅半导体层的外表面上设有重掺杂区域，所述重掺杂区域重掺杂有氢掺杂层。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述P型氢化非晶氮化硅半导体层的厚度是20nm～100nm，包括端点值。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛德丰，聂泳忠，
申请(专利权)人：西人马联合测控泉州科技有限公司，
类型：新型
国别省市：