半导体芯片及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种具有熔丝的半导体芯片。该半导体芯片包括熔丝和熔丝残余，每个熔丝具有电连接到第一逻辑电路的第一端子、电连接到第二逻辑电路的第二端子、及形成在第一端子和第二端子之间的可熔断区域；每个熔丝残余具有与所述熔丝的第一端子和第二端子相同的图案，并构造为使得与所述第一端子和第二端子对应的图案彼此电气断开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有熔丝的半导体芯片，以及制造这种半导体芯片的方法。
技术介绍
将熔丝引入到半导体装置中用于多种目的。诸如DRAM等存储器引入熔丝，用于冗余替换，通过冗余替换，允许用冗余位来代替错误位操作(K.Arndt等的Reliability of Laser Activated Metal Fuses inDRAMs，1999IEEE/CPMT Int′l Electronics Manufacturing TechnologySymposium，第389-394页)。在这种情况中，在晶片处理之后对半导体装置的操作进行测试，如果发现任何错误位，则熔断连接到该错误位的熔丝，以便用冗余位替换该错误位。熔丝还被引入到多个目标逻辑电路中，用于半导体装置中逻辑电路的电压调整或定时调整。在这种情况中，在晶片处理之后，测量内部电压和定时，并且熔断熔丝，以便获得期望的电压或定时。另一个例子是引入多个熔丝，并且根据熔丝熔断与否，分别与信息“1”或“0”相关，从而实现半导体装置的识别。例如，将128个熔丝引入到每个半导体芯片中实现了将128位信息存储到每个半导体芯片中。允许每个半导体芯片保持不同本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过用上面形成有多个熔丝图案的掩模形成熔丝来制造半导体芯片的方法，其包括：从多个指定的熔丝中确定多个半导体芯片共同要熔断的熔丝；产生具有多个熔丝图案的掩模，所述熔丝图案对应除了在所述确定要熔断的熔丝中所确定的要熔断的所述 熔丝之外的所述指定的熔丝；使用在所述产生掩模中产生的所述掩模形成熔丝。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐甲隆，洼田亮，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]