半导体发光装置、半导体元件及半导体发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体发光装置中，在Ｃｕ布线图案上形成有反射来自半导体发光元件的光的反射层，在连接有ＬＥＤ芯片的电极的Ｃｕ布线图案上的发光元件搭载区域上形成有接合部，该接合部由能够在反射层上与半导体发光元件以无焊剂的方式进行锡焊的材料构成。因而，能够实现半导体发光元件确实地与接合面接合、并且能够在减少发光强度降低及色调偏移的状态下进行发光的、高品质的半导体发光装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用了在例如小型照明器件、液晶背光装置、照相机闪光灯等中使用的LED的半导体发光装置。
技术介绍
以往，作为使用在小型照明器件等中的半导体发光装置，具有如图8(a)所示那样、在LED芯片10的周围形成了反射壁以使来自半导体发光元件即LED(发光二极管)芯片10的侧面的发光朝着上方反射的半导体发光装置100。图8(b)是图8(a)的半导体发光装置100的C-C’向视截面图。 如图8(a)、图8(b)所示那样，现有的半导体发光装置100中，LED芯片10搭载在第1绝缘性树脂层11上的Cu布线图案(接合面)16上。Cu布线图案上通过镀银设置有反射层17。该反射层17用来反射来自LED芯片的光。 在形成这样的半导体发光装置100时，将LED芯片10与接合面接合(芯片焊接，die bonding)时，例如如专利文献1日本国特许公开公报特开2004-3 11857号公报(2004年11月4日公开)所示那样使用Ag膏剂(paste)。但是，如图9所示那样，当LED芯片10的PN接合部接近芯片焊接面时，在使用Ag膏剂101等的接合中就产生泄漏。由此，按照使AuSn等的焊锡预先变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，在接合面上搭载有半导体发光元件，其中，在所述接合面形成有反射来自所述半导体发光元件的光的反射层，在所述接合面上的发光元件搭载区域，形成有接合部，该接合部由能够在所述反射层上与所述半导体发光元件的电极以无焊 剂的方式进行锡焊的材料构成。

【技术特征摘要】
JP 2005-12-27 2005-376478;JP 2006-10-23 2006-28805范围内的各种各样的变更皆有可能。也就是，即使在权利要求所示的范围内对适当变更了的技术方案进行组合而获得的实施方式也包括在本发明的技术范围内。 根据本发明，能够提供使半导体发光元件确实地与接合面接合、并且能够在减少发光强度降低及色调偏移的状态下进行发光的高品质的半导体发光装置。本发明，能够适用于例如小型照明器件、液晶背光装置、照相机闪光灯等中。权利要求1.一种半导体发光装置，在接合面上搭载有半导体发光元件，其中，在所述接合面形成有反射来自所述半导体发光元件的光的反射层，在所述接合面上的发光元件搭载区域，形成有接合部，该接合部由能够在所述反射层上与所述半导体发光元件的电极以无焊剂的方式进行锡焊的材料构成。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述反射层由银形成，所述接合部由金、铑、钯、钌、铂或人造白金中的任一种形成。3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，将面对所述半导体发光元件的所述接合部的表面形状形成得比面对所述接合部的所述电极的表面形状大。4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，将面对所述半导体发光元件的所述接合部的表面形状形成得比面对所述接合部的所述半导体发光元件的表面形状小。5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述接合面由金属膜构成，该金属膜与第1绝缘性树脂层粘合在一起从而形成一体的基板，并且通过对所述金属膜进行图案化来形成所述发光元件搭载区域。6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述接合面由金属膜构成，该金属膜与陶瓷基板粘合在一起从而形成一体的基板，并且通过对所述金属膜进行图案化来形成所述发光元件搭载区域。7.根据权利要求6所述的半导体发光装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：池原正博，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]