包括层叠的半导体芯片的半导体封装制造技术

本申请涉及包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括基板以及设置在基板上的子半导体封装。该子半导体封装包括：子半导体芯片，在其面向基板的有效表面上具有芯片焊盘；子模制层，其围绕所述子半导体芯片的侧表面并且具有面向基板的一个表面；以及重分布导电层，其连接到芯片焊盘并且在子模制层的所述一个表面上延伸。重分布导电层包括：信号重分布导电层，其延伸到子模制层的边缘上并且在其端部具有信号重分布焊盘；以及电源重分布导电层，其具有比信号重分布导电层的长度短的长度并且在其端部具有电源重分布焊盘。长度并且在其端部具有电源重分布焊盘。长度并且在其端部具有电源重分布焊盘。

【技术实现步骤摘要】
包括层叠的半导体芯片的半导体封装


[0001]本专利文献涉及半导体封装，更具体地，涉及一种多个半导体芯片垂直层叠的半导体封装。

技术介绍

[0002]随着电子产品的尺寸不断变小，电子产品需要容量来处理大量数据。因此，越来越需要增加这些电子产品中使用的半导体装置的集成度。
[0003]然而，由于半导体集成技术的限制，难以仅利用单个半导体芯片执行所需功能，因此正在制造嵌入有多个半导体芯片的半导体封装。

技术实现思路

[0004]在实施方式中，一种半导体封装包括基板以及设置在基板上的子半导体封装。该子半导体封装包括：子半导体芯片，在其面向基板的有效表面上具有芯片焊盘；子模制层，其围绕子半导体芯片的侧表面并且具有面向基板的一个表面；以及重分布导电层，其连接到芯片焊盘并且在子模制层的所述一个表面上延伸。重分布导电层包括：信号重分布导电层，其延伸到子模制层的边缘上并且在其端部具有信号重分布焊盘；以及电源重分布导电层，其具有比信号重分布导电层的长度短的长度并且在其端部具有电源重分布焊盘。半导体封装还包括：信号子互连器，其具有连接到信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；子半导体封装，该子半导体封装设置在所述基板上并且包括：子半导体芯片，在该子半导体芯片的面向所述基板的有效表面上具有芯片焊盘；子模制层，该子模制层围绕所述子半导体芯片的侧表面并且具有面向所述基板的一个表面；以及重分布导电层，所述重分布导电层连接到所述芯片焊盘并且在所述子模制层的所述一个表面上延伸，其中，所述重分布导电层包括：信号重分布导电层，该信号重分布导电层延伸到所述子模制层的边缘上并且在该信号重分布导电层的端部具有信号重分布焊盘；以及电源重分布导电层，该电源重分布导电层具有比所述信号重分布导电层的长度短的长度，并且在该电源重分布导电层的端部具有电源重分布焊盘；信号子互连器，该信号子互连器具有连接到所述信号重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面；电源子互连器，该电源子互连器具有连接到所述电源重分布焊盘的上表面以及连接到所述基板的下表面；电容器，该电容器形成在所述子模制层中并且包括：第一电极，该第一电极具有连接到所述电源重分布导电层的下表面；第二电极，该第二电极具有连接到所述电源重分布导电层的下表面；以及主体部分，该主体部分在所述第一电极和所述第二电极之间；以及至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装上并且电连接到所述基板。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述电源重分布导电层包括：被施加有接地电压的第一电源重分布导电层；以及被施加有电源电压的第二电源重分布导电层，所述第一电极连接到所述第一电源重分布导电层，并且所述第二电极连接到所述第二电源重分布导电层。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个被定位在所述电源重分布焊盘与所述子半导体芯片的所述侧表面之间。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，至少一个信号重分布导电层设置在所述第一电源重分布导电层与所述第二电源重分布导电层之间，并且所述主体部分与所述至少一个信号重分布导电层交叠。5.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，交流AC路径经过所述第一电源重分布导电层、所述电容器和所述第二电源重分布导电层。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，经过所述电源重分布导电层、所述电源子互连器和所述基板的供电路径比经过所述信号重分布导电层、所述信号子互连器和所述基板的信号传输路径短。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述信号子互连器和所述电源子互连器中的每一个包括焊球和金属凸块中的至少一个。8.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括将所述主半导体芯片连接到所述基板的主互连器，其中，所述信号子互连器包括用于在所述主半导体芯片与所述子半导体芯片之间交换信号的内部信号子互连器，所述主互连器包括用于在所述主半导体芯片与所述子半导体芯片之间交换所述信号的信号主互连器，所述基板包括连接到所述内部信号子互连器的内部信号子基板焊盘以及连接到所述信号主互连器的信号主基板焊盘，并且所述内部信号子基板焊盘和所述信号主基板焊盘通过形成在所述基板中的连接线彼此连接。9.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括将所述主半导体芯片连接到所述基板的主互连器，其中，所述主互连器包括接合引线。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述芯片焊盘沿着所述子半导体芯片在第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘设置并且沿着所述子半导体芯片在第二方向上的第一侧边缘和第二侧边缘设置，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述信号重分布焊盘包括设置在所述子模制层在所述第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘处的多个信号重分布焊盘，所述信号重分布导电层包括多个信号重分布导电层，连接到设置在所述子半导体芯片在所述第一方向的所述第一侧边缘和在所述第二方向上的所述第一侧边缘处的所述芯片焊盘的所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第一侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸，并且连接到设置在所述子半导体芯片在所述第一方向的所述第二侧边缘和在所述第二方向上的所述第二侧边缘处的所述芯片焊盘的所述信号重分布导电层朝着设置在所述子模制层在所述第一方向上的所述第二侧边缘处的所述信号重分布焊盘延伸。11.根据权利要求10所述的半导体封装，其中，所述信号重分布导电层具有以所述子半导体芯片为中心的螺旋形状。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述基板包括设置在所述基板在第一方向上的第一侧边缘和第二侧边缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：严柱日，裵汉俊，李承烨，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：