半导体存储器装置制造方法及图纸

提供了半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并设置在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；位线，与第一有源图案相交并电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区并与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，并且在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上。接触件的底部比基底的顶表面低。接触件可以由金属、导电金属氮化物或它们的组合形成。因此，其可以具有改善的电特性和集成度。集成度。集成度。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置
[0001]本申请要求于2020年8月7日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0099147号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。


[0002]本专利技术构思涉及一种半导体存储器装置和一种用于制造该半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及一种具有增强的电特性的半导体存储器装置和一种用于制造该半导体存储器装置的方法。

技术介绍

[0003]半导体装置因为它们的小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛地用于电子产业中。半导体装置之中的数据存储装置可以存储逻辑数据。由于数据存储装置随着电子产业的进步而变得高度地集成，因此为了数据存储装置的高集成度，正在减小数据存储装置的元件或组件的宽度。
[0004]此外，数据存储装置的高集成度要求数据存储装置的高可靠性。然而，数据存储装置的可靠性会因高集成度而劣化，例如，由于元件或组件的宽度的减小以及元件或组件之间的界面处的具有高接触电阻的不稳定接触而引起的电特性的劣化。因此，已经进行了各种研究，以增强数据存储装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储装置包括：基底，具有第一有源图案，第一有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与第一有源图案相交并且沿第一方向延伸；位线，与第一有源图案相交并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，位线电连接到第一源极/漏极区；间隔件，设置在位线的侧壁上；接触件，电连接到第二源极/漏极区，接触件与位线间隔开，间隔件置于接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与接触件之间，界面层在第二源极/漏极区与接触件之间形成欧姆接触；以及数据存储元件，设置在接触件上，其中，与界面层接触的接触件的底部比基底的顶表面低，并且其中，接触件包括：第一金属图案；以及第二金属图案，设置在第一金属图案与界面层之间，其中，第一金属图案由金属形成，并且第二金属图案由导电金属氮化物形成；或者，接触件由单个金属图案形成。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，第一金属图案的底部比基底的所述顶表面低。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，界面层由石墨烯或磷烯形成，并且其中，界面层的厚度在1nm至5nm的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，接触件包括：下部，位于比基底的所述顶表面低的水平处；上部，设置在所述下部上并且沿着间隔件竖直地延伸；以及垫部，设置在所述上部上，并且数据存储元件设置在所述垫部上。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：器件隔离层，填充限定第一有源图案的第一沟槽，其中，第一有源图案和器件隔离层凹陷以限定接触孔，并且其中，接触件的下部以及界面层设置在接触孔中。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其特征在于，基底还具有第二有源图案，其中，第一有源图案和第二有源图案中的每个沿第三方向具有长轴，第三方向与第一方向和第二方向交叉，其中，第一有源图案和第二有源图案沿第三方向彼此相邻，其中，器件隔离层填充位于第一有源图案与第二有源图案之间的第二沟槽，并且其中，第二沟槽比第一沟槽深。7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：导电图案，设置在位线下方，其中，导电图案连接到第一有源图案的第一源极/漏极区，并且
其中，导电图案的与第一源极/漏极区接触的底表面比接触件的所述底部低。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，数据存储元件包括：第一电极，设置在接触件的垫部上；第二电极，设置在第一电极上；以及介电层，设置在第一电极与第二电极之间。9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置还包括：掩模图案，设置在位线上，其中，界面层沿着间隔件从第二源极/漏极区竖直地延伸，以覆盖掩模图案的顶表面的至少一部分。10.一种半导体存储器装置，其特征在于，所述半导体存储器装置包括：基底，具有有源图案，有源图案包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区；栅电极，与有源图案相交并且沿第一方向延伸；线结构，与有源图案相交并且沿与第一方向交叉的第二方向延伸，线结构包括电连接到第一源极/漏极区的位线；间隔件，设置在线结构的侧壁上；金属接触件，电连接到第二源极/漏极区，金属接触件与位线间隔开，间隔件置于金属接触件与位线之间；界面层，设置在第二源极/漏极区与金属接触件之间；以及数据存储元件，设置在金属接触件上，其中，界面层由石墨烯或磷烯形成。11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其特征在于，第二源极/漏极区具有凹陷为比基底的顶表面低的顶表面，并且其中，界...

【专利技术属性】
技术研发人员：金熙中，安濬爀，尹宰铉，李明东，李锡奂，韩成熙，许仁景，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：新型
国别省市：