气隙型薄膜体声波谐振器制造技术

公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR)，包括：衬底，包括气隙部分，所述气隙部分具有衬底腔并且形成在顶部表面中；下电极，形成在所述衬底上方；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方，并且其一侧的电极边缘被形成为与所述气隙部分的侧壁的垂直虚拟边界邻近。其中，所述压电层包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。

【技术实现步骤摘要】
气隙型薄膜体声波谐振器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年7月31日提交的韩国专利申请No.10
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2020
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95637的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术涉及一种用于以射频波段进行通信的谐振器，并且更具体地，涉及一种气隙型薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic resonator，FBAR)。

技术介绍

[0004]无线移动通信技术需要能够在有限频段内高效传送信息的各种射频(RF)部件。特别是，在RF部件中，滤波器是在移动通信技术中使用的必不可少的部件之一，并且通过在多个频段中选择用户需要的信号或对要发送的信号进行滤波，能够进行高质量通信。
[0005]当前，介电滤波器和声表面波(surface acoustic wave,SAW)滤波器最多地用作进行无线通信的RF滤波器。介电滤波器具有诸如高介电常数、低插入损耗、高温下的稳定性、高抗振性和高抗震性的优点。然而，介电滤波器在小型化和单片微波集成电路(mo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气隙型薄膜体声波谐振器FBAR，包括：衬底，包括气隙部分，所述气隙部分具有衬底腔并且形成在顶部表面中；下电极，形成在所述衬底上方；压电层，形成在所述下电极上方；以及上电极，形成在所述压电层上方，并且其一侧的电极边缘被形成为与所述气隙部分的侧壁的垂直虚拟边界邻近，其中，所述压电层包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。2.根据权利要求1所述的气隙型FBAR，其中所述压电腔包括由以下形成的腔区域：通过暴露所述压电层的顶部的一部分形成的腔底部表面；基于所述电极边缘在所述上电极内侧竖直形成的腔内壁；以及在所述上电极外侧竖直形成的腔外壁。3.根据权利要求2所述的气隙型FBAR，其中在关于所述气隙型FBAR的多边形结构的每个边的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高庸熏，金炳宪，韩相瀷，
申请(专利权)人：天津威盛电子有限公司，
类型：发明
国别省市：