具有二极管和IGBT的半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：半导体衬底（１０、１１），其包括第一导电类型层（１１）；多个ＩＧＢＴ区（１），每个ＩＧＢＴ区（１）提供一个ＩＧＢＴ元件；以及多个二极管区（２），每个二极管区（２）提供一个二极管元件。所述多个ＩＧＢＴ区和所述多个二极管区交替布置在所述衬底中。每个二极管区都包括具有第二导电类型的肖特基接触区（２４）。所述肖特基接触区用于回收来自所述第一导电类型层的少数载流子。所述肖特基接触区设置在所述第一导体类型层的第一表面部分中，并且邻近所述ＩＧＢＴ区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具有二极管和IGBT的半导体器件。
技术介绍
例如，在美国专利申请NO.2007/0108468中公开了一种具有二极管和 IGBT的半导体器件。在该器件中，N型层和P型基极层形成在N型衬底上。 一对凹槽形成 在基极层的表面上，使得凹槽到达衬底。N型发射极区形成在基极层中， 使得该发射极区夹在这些凹槽之间。栅极氧化膜形成在凹槽的内壁上，而栅电极通过栅极氧化膜形成在凹 槽中。这样，基极层经由栅极氧化膜接触栅电极。基极层提供了IGBT的沟 道区。层间绝缘膜形成在栅电极上方，使得层间绝缘膜覆盖发射极区的一 部分。发射极电极形成在发射极区和基极层的一部分上。发射极电极还提供 了二极管的阳极。P+型集电极层和N+型阴极层独立形成在衬底的背侧。与 集电极层和阴极层两者耦合的集电极电极形成在衬底上。集电极电极还提 供了二极管的阴极。二极管和IGBT集成在衬底中。具有设置在衬底背侧上的集电极的 IGBT区用作IGBT。具有设置在衬底背侧的阴极层的二极管区用作二极管。 可以将多个二极管和IGBT形成在衬底中，从而提供了逆变器。然而，专利技术人认识到下列难点。当二极管的正向偏压施加在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：　半导体衬底（１０、１１），其包括第一导电类型层（１１）；　多个ＩＧＢＴ区（１），每个ＩＧＢＴ区（１）提供一个ＩＧＢＴ元件；以及　多个二极管区（２），每个二极管区（２）提供一个二极管元件，　其中所述多个ＩＧＢＴ区（１）和所述多个二极管区（２）交替布置在所述衬底（１０、１１）中，　其中每个二极管区（２）都包括具有第二导电类型的肖特基接触区（２４），　其中所述肖特基接触区（２４）用于回收来自所述第一导电类型层（１１）的少数载流子，并且　其中所述肖特基接触区（２４）设置在所述第一导体类型层（１１）的第一表面部分中，并且邻近所述ＩＧＢＴ区（１）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：都筑幸夫，河野宪司，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]