半导体集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体集成电路装置。在本发明专利技术的半导体集成电路装置（１）中，在构成小信号部（２）的岛区域（８、９）中，在衬底（４）和外延层（５）之间形成Ｎ型的埋入扩散区域（２９）。由此，在构成小信号部（２）的岛区域（８、９）中，实际上，在施加电源电位的Ｎ型的埋入扩散区域（２９）中区分衬底（４）和第一外延层（５）。其结果，可以防止由于电机的反电动势而从功率ＮＰＮ晶体管（３）产生的自由载流子（电子）流入小信号部（２），并防止小信号部（２）的误动作。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及防止寄生效应引起的电机驱动电路的误动作的半导体集成电路装置。
技术介绍
在现有的三相电机驱动器中，在直流电源VCC、GND之间串联连接的晶体管(Tr1-Tr2、Tr3-Tr4、Tr5-Tr6)被并联连接。将从Tr1-Tr2、Tr3-Tr4以及Tr5-Tr6之间取出的输出端子连接到电机M上。而且，产生伴随电机的旋转/停止的正/反向的电动势。公开了以下结构在晶体管的集电极/发射极之间连接保护二极管，使电动势变为固定电位，保护包含串联连接的晶体管的IC的内部(例如参照专利文献1)。而且，公开了现有的DC电机的正转反转控制电路(例如参照非专利文献1)。专利文献1特开平6-104459号公报(第13-14页、第16-第17图)非专利文献1三浦宏文「メカトロニクス」ォ一ム社，P.204-205在现有的半导体集成电路装置中，例如在从驱动元件的导通动作向截止动作转移时，从电机产生反向的电动势(以下称作反电动势)。而且，根据该反电动势，对驱动电机的驱动元件的集电极区域施加负电位。由此，由驱动元件、衬底、控制元件构成的寄生晶体管的发射极区域和基极区域的PN结区域产生自由载流子(电子)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路装置，包含：多层的逆导电型外延层，层叠在一导电型的半导体衬底上；以及分离区域，将所述外延层区分为多个岛区域，在所述多个岛区域中至少包括驱动电机的驱动元件，以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在形成所述控制元件 的岛区域中，在所述衬底和在该衬底上表面层叠的第一层的外延层之间，形成逆导电型的埋入扩散区域，而且，在所述第一层的外延层上表面的外延层之间，形成接地状态的一导电型的埋入扩散区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：神田良，大川重明，吉武和广，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]