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本发明提供一种半导体集成电路装置。在本发明的半导体集成电路装置（１）中，在构成小信号部（２）的岛区域（８、９）中，在衬底（４）和外延层（５）之间形成Ｎ型的埋入扩散区域（２９）。由此，在构成小信号部（２）的岛区域（８、９）中，实际上，在施加电...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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