半导体集成电路装置制造方法及图纸

在本发明专利技术的半导体集成电路装置（１）中，在构成小信号部（２）的第一以及第二岛区（７、８）中，在衬底（４）和外延层（５）之间形成Ｎ型的埋入扩散区（２７）。而且，Ｎ型的埋入扩散区（２７）与被施加了电源电位的Ｎ型的扩散区（２５、２６）连结。由此，在构成小信号部（２）的区域（７、８）中，由被施加了电源电位的Ｎ型的埋入扩散区（２７）来区分衬底（４）和外延层（５）。其结果，可防止由于电机的反电动势而从功率ＮＰＮ晶体管（３）产生的自由载流子（电子）流入小信号部（２），可以防止小信号部（２）的误动作。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路装置，用于防止寄生效应造成的电机驱动电路的误动作。
技术介绍
在现有的三相电机驱动器中，公开了以下结构将直流电源VCC、GND间串联连接的晶体管(Tr1-Tr2、Tr3-Tr4、Tr5-Tr6)并联连接。将从Tr1-Tr2、Tr3-Tr4和Tr5-Tr6之间取出的输出端子连接到电机M。然后，随着电机的旋转/停止，产生正/反方向的电动势。在晶体管的集电极/发射极间连接保护二极管，将电动势向固定电位靠近，保护包含串联连接的晶体管的IC内部(例如，参照专利文献1)。此外，公开了以往的DC电机的正反转控制电路(例如，参照非专利文献1)。特开平6-104459号公报(第13-14页、第16-第17图)三浦宏文‘メカトロニクス’ォ一ム社、P.204-205在现有的半导体集成电路装置中，例如，在从驱动元件的导通动作向截止动作转移时，从电机产生反方向的电动势(以下称为反电动势)。因此，通过这种反电动势，在驱动电机的驱动元件的集电极区施加负电位。由此，从驱动元件、衬底、控制元件构成的寄生晶体管的发射极区和基极区的PN结区，产生自由载流子(电子)。该自由载流子(电子)经由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体集成电路装置，包括：半导体层；以及将所述半导体层区分为多个岛区的分离区，在所述多个岛区中，至少形成驱动电机的驱动元件、以及控制该驱动元件的控制元件，其特征在于：在形成所述控制元件的岛区中，形成被施加电源电位的一导电型的埋入 扩散区，配置所述一导电型的埋入扩散区，以区分构成所述半导体层的逆导电型的半导体衬底和形成所述控制元件的区域。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：神田良，大川重明，吉武和广，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]