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一种半导体器件，包括：半导体衬底（１０、１１），其包括第一导电类型层（１１）；多个ＩＧＢＴ区（１），每个ＩＧＢＴ区（１）提供一个ＩＧＢＴ元件；以及多个二极管区（２），每个二极管区（２）提供一个二极管元件。所述多个ＩＧＢＴ区和所述多个二极管区...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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