晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜技术

本发明专利技术提供一种在晶片背面上安装的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜，在对贴附有粘接薄膜的切割带进行扩张从而沿着各器件断开粘接薄膜时，不会在器件表面附着粘接薄膜的碎片。在晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法，将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个分割道划出的多个区域上形成器件的晶片的背面上安装、且具有比晶片的外径大的外径的粘接薄膜，在贴附在环状框架上安装的切割带的表面上的状态下沿着器件断开。在粘接薄膜的外周部形成放射状的多个分割槽，扩张切割带从而沿着器件断开粘接薄膜，并且将粘接薄膜的外周部的从晶片的外周缘超出的区域沿着放射状的多个分割槽分离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个分割 道划出的多个区域上形成有器件的晶片的背面上安装的粘接薄膜，沿着器 件断开的晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜。
技术介绍
例如，在半导体器件制造工艺中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上通过形成格子状的称为分割道(street)的分割预定线划出的多个区域 上形成IC、 LSI等的器件，沿着分割道对形成有该器件的各区域进行分割 来制造各个器件。分割为个体的器件的背面上安装有环氧树脂等形成的厚度为20~40 y m的称为芯片粘结薄膜(,< 7夕7 * 7 ^ a厶die attach fiim)的用于管芯焊接(, < 求 > 亍'^ >夕die bonding)的粘接薄膜，通过在经由该粘 接薄膜支撑器件的管芯焊接框架上进行加热压焊来实施管芯焊接。作为在 器件背面安装用于管芯焊接的粘接薄膜的方法，可以在半导体晶片的背面 贴附粘接薄膜，经由该粘接薄膜将半导体晶片贴附到切割带(dicingtape) 上，然后沿着在半导体晶片表面上形成的分割道用切削刀具将半导体晶片 与粘接薄膜一起切断，从而形成背面安装有粘接薄膜的器件(例如，参照 专利文献l)。专利文献l:日本特开2000-182995号公报但是，在通过切削刀具将半导体晶片和粘接薄膜一起切断时，会在切 削刀具上缠绕粘接薄膜，在切断的器件的切断面上产生缺损或裂纹，并且 在粘接薄膜上产生须状毛刺而导致在引线接合(wirebonding)时发生断线。近年来，手机和个人电脑等电子设备需求更轻量化和小型化，要求更 薄的器件。作为对更薄的器件进行分割的技术，例如称为先分割法的分割 技术获得了实用化。该先分割法是这样的技术从晶片表面沿着分割道形3成规定深度(与器件的精加工厚度相当的深度)的分割槽，然后对表面上 形成有分割槽的晶片的背面进行磨削，在该背面上露出分割槽而分离为各个器件；这种技术能够将器件的厚度加工为50 U m以下。但是，在使用先分割法将晶片分割为各个器件的情况下，从晶片表面 沿着分割道形成规定深度的分割槽，然后对晶片的背面进行磨削，在该背 面上显露出分割槽，因此无法预先在晶片背面安装用于管芯焊接的粘接薄 膜。因此，在将通过先分割法分割的器件接合到管芯焊接框架上时，必须 在器件和管芯焊接框架之间插入接合剂来进行接合，存在无法顺畅进行接 合作业的问题。为了克服上述问题，有人提出如下的方法在通过先分割法分割为各 个器件的晶片的背面安装用于管芯焊接的粘接薄膜，在经由该粘接薄膜将 晶片贴附到切割带上之后扩张切割带，从而沿着分割槽断开粘接薄膜(例 如，参照专利文献2)。专利文献2:日本特开2004-193241号公报另外，近年来也在对激光加工方法进行研究，即使用波长对晶片具有 穿透性的脉冲激光束向待分割区域的内部聚焦来进行照射脉冲激光。使用 该激光加工方法的分割方法，从晶片背面向内部聚焦，照射对晶片具有穿 透性波长(例如1064nm)的脉冲激光束，在晶片内部沿着分割道连续地形 成变质层，沿着由于形成该变质层而强度降低的分割道施加外力，从而分害U晶片o另外，还有一种实用化的晶片分割方法，对晶片沿着分割道照射波长(例如355nm)具有吸收性的脉冲激光束，沿着分割道形成激光加工槽， 然后沿着分割道施加外力来分割晶片。使用上述激光加工方法，在沿着分割道形成变质层或激光加工槽的晶 片的背面上安装用于管芯焊接的粘接薄膜，经由该粘接薄膜将晶片贴附到 切割带上，然后通过对切割带进行扩张，沿着由于形成了变质层或激光加 工槽而强度降低的分割道，将晶片分割为各个器件，并且沿着分割的各器 件的外周缘断开粘接薄膜(例如，参照专利文献3)。专利文献3:日本特开2004-273895号公报用于管芯焊接的粘接薄膜，为了确保在晶片的整个背面上安装而形成为外径大于晶片的外径。因此，在对贴附着粘接薄膜的切割带进行扩张而 沿着各器件断开粘接薄膜时，从晶片的外周缘超出的粘接薄膜会破裂飞散， 其碎片会附着到器件表面上。该附着于器件表面的粘接薄膜的碎片难以除 去，从而导致器件品质降低。本专利技术针对上述问题而做出，其主要技术课题是提供晶片背面上安装 的粘接薄膜的断开方法和粘接薄膜，从而在对贴附着粘接薄膜的切割带进 行扩张而沿着各器件断开粘接薄膜时，不会在器件表面附着粘接薄膜的碎 片。_
技术实现思路
为了解决上述主要课题，根据本专利技术，提供一种在晶片背面安装的粘 接薄膜的断开方法，将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个 分割道划出的多个区域上形成器件的晶片的背面上安装、且具有比晶片的 外径大的外径的粘接薄膜，在贴附在环状框架上安装的切割带的表面上的 状态下沿着器件断开，其特征在于，在该粘接薄膜的外周部上的从晶片的 外周缘超出的区域上形成放射状的多个分割槽，然后扩张该切割带从而沿 着器件断开粘接薄膜，并且将该粘接薄膜的外周部上的从晶片的外周缘超 出的区域沿着该放射状的多个分割槽分离。另外，根据本专利技术，提供一种在晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法， 将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个分割道划出的多个区 域上形成器件的晶片的背面上安装、且具有比晶片的外径大的外径的粘接 薄膜，在贴附在环状框架上安装的切割带的表面上的状态下沿着器件断开， 其特征在于，在该粘接薄膜的外周部上形成放射状的多个分割槽，在将该 粘接薄膜安装到晶片背面上并且贴附在该切割带表面上的状态下，扩张该 切割带从而将粘接薄膜沿着器件断开，并且将该粘接薄膜的外周部上的从 晶片的外周缘超出的区域沿着该放射状的多个分割槽分离。另外，根据本专利技术，提供一种粘接薄膜，安装在晶片背面，其特征在 于，具有比晶片外径大的外径，在外周部形成有放射状的多个分割槽。专利技术的效果根据本专利技术，在粘接薄膜的外周部上的从晶片的外周缘 超出的区域上形成放射状的多个分割槽之后，或者在将外周部上形成有放射状的多个分割槽的粘接薄膜安装到晶片背面上并且贴附在切割带表面上 的状态下，扩张切割带从而沿着器件断开粘接薄膜，并且将粘接薄膜的外 周部上的从晶片的外周缘超出的区域沿着放射状的多个分割槽分离，从而 将粘接薄膜的外周部上的从晶片的外周缘超出的区域分离为扇状的薄膜 片，不会由于粘接薄膜的无规则破损而飞散碎片，从而避免粘接薄膜的碎 片附着到器件表面上。因此能够防止由于器件表面附着粘接薄膜的碎片而 导致器件品质降低。附图说明图1是表示背面安装有管芯焊接用粘接薄膜的半导体晶片贴附在安装 于环状框架上的切割带上的状态的第1实施方式的立体图。图2是表示背面安装有管芯焊接用粘接薄膜的半导体晶片贴附在安装 于环状框架上的切割带上的状态的第2实施方式的立体图。图3是表示背面安装有管芯焊接用粘接薄膜的半导体晶片贴附在安装 于环状框架上的切割带上的状态的第3实施方式的立体图。图4是表示本专利技术的晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法的分割槽形 成工序的说明图。图5是表示实施图4所示分割槽形成工序的粘接带经由切割带支撑在 环状框架上的状态的立体图。图6是表示实施本专利技术的晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法的带扩 张工序的带扩张装置的立体图。图7是表示本专利技术的晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法的带扩张工 序的说明图。图8是表示本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法，将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个分割道划出的多个区域上形成器件的晶片的背面上安装、且具有比晶片的外径大的外径的粘接薄膜，在贴附在环状框架上安装的切割带的表面上的状态下沿着器件断开，其特征在于，　在该粘接薄膜的外周部的从晶片的外周缘超出的区域形成放射状的多个分割槽，然后扩张该切割带从而沿着器件断开粘接薄膜，并且将该粘接薄膜的外周部的从晶片的外周缘超出的区域沿着该放射状的多个分割槽分离。

【技术特征摘要】
JP 2007-11-27 305469/20071. 一种在晶片背面安装的粘接薄膜的断开方法，将在表面上多个分割道形成格子状并且在通过该多个分割道划出的多个区域上形成器件的晶片的背面上安装、且具有比晶片的外径大的外径的粘接薄膜，在贴附在环状框架上安装的切割带的表面上的状态下沿着器件断开，其特征在于，在该粘接薄膜的外周部的从晶片的外周缘超出的区域形成放射状的多个分割槽，然后扩张该切割带从而沿着器件断开粘接薄膜，并且将该粘接薄膜的外周部的从晶片的外周缘超出的区域沿着该放射状的多个分割槽分离。2. —种在晶片背面安装的粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村胜，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：JP[日本]