【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件制造工艺,尤其设计一种可改善丽os长沟和短沟器件窄沟效应差别的。
技术介绍
如图1所示,现有技术中,半导体器件的制造过程主要包括 步骤1,在图2a结构的基础上,即在已形成有P型阱区、屏蔽氧化 层、栅极和栅极侧墙的硅片上,通过屏蔽氧化层(screen oxide)进行源漏 离子注入,从而形成源漏区域,这时的剖面结构如图2b所示; 步骤2,进行源漏快速热退火;步骤3,采用低压化学气相沉积的方法在所述硅片上淀积一层二氧化 硅,这时的剖面结构如图2c所示。在上述制作过程中,由于是在源漏快速热退火之后采用低压化学气象 沉积的方法来淀积二氧化硅的,而低压化学气相淀积二氧化硅会引入水分 子,因此如图3a和3b所示,在后续的热过程中水分子会从侧墙的边缘向 沟道进行扩散。由于扩散距离的限制,长沟器件虽然在靠近源漏的地方受 水分子扩散的影响较大,而中间部分受水分子扩散的影响却很小,这样由 于氧化增强扩散效应和硼的分凝,长沟的寄生晶体管的离子掺杂浓度在中 间部分几乎没有变化,而在源漏边缘区域的离子掺杂浓度则变低,因此阈 值电压主要还是由中间部分决定;而如图4a和图4b所示,短沟的寄生晶体管的离子掺杂浓度由于二维扩散比长沟的源漏还低,从而导致短沟的阈 值电压对沟道宽度的依存性比长沟要差,如图4c所示。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种,可避免由 水分子扩散引起的氧化增强扩散效应和硼分凝所导致的短沟道窄沟效应比长沟道严重的现象,即可改善丽0S长沟和短沟器件间窄沟效应差别, 从而优化晶体管的特性。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种, ...
【技术保护点】
一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括以下步骤: (1)在已形成有P型阱区、屏蔽氧化层、栅极和栅极侧墙的硅片上,通过屏蔽氧化层进行源漏离子注入; (2)进行源漏热退火; (3)在所述硅片上淀积一层碳化硅; (4)采用低压化学气相沉积的方法,在所述碳化硅上再淀积一层二氧化硅。
【技术特征摘要】
1、一种半导体器件制造方法,其特征在于,包括以下步骤(1)在已形成有P型阱区、屏蔽氧化层、栅极和栅极侧墙的硅片上,通过屏蔽氧化层进行源漏离子注入;(2)进行源漏热退火;(3)在所述硅片上淀积一层碳化硅;(4)采用低压化学气相沉积的方法,在所述碳化硅上再淀积一层二氧化硅。2、 根据权利要求l所述半导体器件制造方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱文生,周晓君,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[]
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