【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺控制
,特别是涉及一种针对半导体刻蚀工艺的终点控制方法及装置。
技术介绍
工艺的终点诊断(EndpointDetection)是半导体工艺生产中比较关键的一项技术。近几年来,随着刻蚀关键尺寸的逐渐减小和硅片(wafer)膜层结构的逐渐复杂,在刻蚀过程中对终点控制的要求也变得越来越高。在理想的刻蚀系统中,同 一种工艺过程刻蚀同种类型的硅片应该具有相同的刻蚀速率,刻蚀时间应该相同。但是在实际的工艺刻蚀过程中,由于系统本身的原因或其他干扰的存在,导致刻蚀终点时间及刻蚀速率的波动或异常,从而造成片与片之间刻蚀的均匀性无法达到要求,严重的还会造成废片。因此通过预测工艺终点时间实现刻蚀终点的实时监控是非常必要的。尤其针对一些膜层复杂的工艺,如何实现对工艺各步终点的准确控制,已经成为刻蚀过程中的一个重点问题。现有的用于工艺终点的控制方法主要是OES ( Optical EmissionSpectrosc叩y,光学发射光谱)方法。光学发射光谱检测系统主要是基于在线光镨检测设备对等离子体发射出的光谱进行实时检测,由于刻蚀到不同物质层光镨会出现明显的变 ...
【技术保护点】
一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法,其特征在于,包括: 获取实时的光学干涉探测谱线; 在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号,进而获得本次工艺的刻蚀周期; 依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期,对本次刻蚀工艺进行终点控制。
【技术特征摘要】
1、一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法,其特征在于,包括获取实时的光学干涉探测谱线;在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号,进而获得本次工艺的刻蚀周期;依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期,对本次刻蚀工艺进行终点控制。2、 如权利要求l所述的方法,其特征在于,通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺的刻蚀周期,实时计算截止到当前时间点t,本次刻蚀工艺所经过的周期数;依据本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度,获取工艺终点所需的周期数;通过比较上述两个周期数,获知当前时间点t是否到达工艺终点,进而执行相应的控制。3、 如权利要求l所述的方法,其特征在于,通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺的刻蚀周期以及单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度,实时计算当前时间点t的已被刻蚀掉的硅片厚度;通过比较所计算得到的厚度与本次工艺所需刻蚀的厚度,获知当前时间点t是否到达工艺终点,进而执行相应的控制。4、 如权利要求l所述的方法,其特征在于,通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度,获取工艺终点所需的周期数;进而,依据本次工艺的刻蚀周期,得到本次工艺的终点预测时间;通过比较当前时间点t与所述终点预测时间,获知当前时间点t是否到达工艺终点,进而执行相应的控制。5、 如权利要求l所述的方法,其特征在于,还包括对所获取的光学千涉探测语线进行预处理,所述预处理包括滤波处理和/或延迟处理,所述延迟处理用于忽略探测谱线开始一^爻时间的无效信号。6、 如权利要求5所述的方法,其特征在于,通过以下方式在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号判断光学干涉探测语线中光i普信号的变化趋势;若光谱信号...
【专利技术属性】
技术研发人员:张善贵,
申请(专利权)人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,
类型:发明
国别省市:11
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