一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，包括：获取实 时的光学干涉探测谱线；在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或 波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；依据本次工艺所需刻蚀的厚 度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本 次刻蚀工艺进行终点控制。本发明专利技术在利用IEP探测谱线抓取工艺终点的 过程中，采用了针对IEP探测谱线搜索波峰波谷的计算过程，而避免采 用一些复杂算法(例如，时域信号和频域信号相互转换的傅立叶变换等 等)，其计算量相对较小，不但可以实现层内工艺终点的控制，而且不容 易造成所抓取的工艺终点时间的延时，更加准确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺控制
，特别是涉及一种针对半导体刻蚀工艺的终点控制方法及装置。
技术介绍
工艺的终点诊断(EndpointDetection)是半导体工艺生产中比较关键的一项技术。近几年来，随着刻蚀关键尺寸的逐渐减小和硅片(wafer)膜层结构的逐渐复杂，在刻蚀过程中对终点控制的要求也变得越来越高。在理想的刻蚀系统中，同 一种工艺过程刻蚀同种类型的硅片应该具有相同的刻蚀速率，刻蚀时间应该相同。但是在实际的工艺刻蚀过程中，由于系统本身的原因或其他干扰的存在，导致刻蚀终点时间及刻蚀速率的波动或异常，从而造成片与片之间刻蚀的均匀性无法达到要求，严重的还会造成废片。因此通过预测工艺终点时间实现刻蚀终点的实时监控是非常必要的。尤其针对一些膜层复杂的工艺，如何实现对工艺各步终点的准确控制，已经成为刻蚀过程中的一个重点问题。现有的用于工艺终点的控制方法主要是OES ( Optical EmissionSpectrosc叩y,光学发射光谱)方法。光学发射光谱检测系统主要是基于在线光镨检测设备对等离子体发射出的光谱进行实时检测，由于刻蚀到不同物质层光镨会出现明显的变化，通过监测刻蚀过程中刻蚀到不同层的物质时，反应物或生成物的发射i普线强度值，以此来判断刻蚀终点。参照图l，是一个所获得的光傳信号随着工艺时间的变化示意图，其中，光谱强度信号在正常刻蚀过程(Normalize Time) 101中大致保持一个强度值，当到达终点时，光谱强度值迅速下降。具体的，其获取工艺终点的方式可以包括阈值(Threshold,包括相对值和绝对值两种形式)法或斜率(Slope)法。阈值法和斜率法的基本原理是相似的，以图l的谱线为例， 一般可以包括如下步骤首先获取工艺光语信号；然后，通过光镨强度阈值参数或者光谱强度斜率参数在图l中寻找光语信号的触发点(TriggerPoint) 102，即光谱信号强度的转折点；最后，若从TriggerPoint开始的所有信号点在预置的Satisfaction Time 103均满足阈值条件，则所需的工艺终点时间就等于光i普信号的Trigger Point时间点再加上预置的过渡时间(Satisfaction Time) 103。对于一般wafer膜层比较简单且只需要在层与层之间抓取终点的工艺来说，上述光学发射光谱法基本上能够准确的采集到工艺的终点由于刻蚀过程中层与层之间产生的聚合物不同，终点光谱曲线的强度在层与层切换时会发生明显的波动，终点采集软件容易通过信号变化的大小与趋势来准确的判断出工艺终点。但是对于一些膜层比较复杂且需要在层内抓取终点的工艺，由于刻蚀过程中终点光语曲线的强度信号变化不明显，上述光学发射光谱法一般就很难准确的抓取工艺终点。总之，目前迫切需要本领域技术人员解决的一个技术问题就是如何能够创新地提出一种工艺控制的方法，能够准确获取工艺终点，以提高产品的生产率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法及装置，能够准确预测工艺终点时间，更好的进行工艺控制，以提高产品的生产率和生产质量。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例公开了 一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，包括获取实时的光学干涉探测谱线；在所述光学干涉探测语线中搜索波峰信号和/或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制。优选的，可以通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺的刻蚀周期，实时计算截止到当前时间点t，本次刻蚀工艺所经过的周期数；依据本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，获取工艺终点所需的周期数；通过比较上述两个周期数，获知当前时间点t是否到达工艺终点，进而执行相应的控制。优选的，也可以通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据 本次工艺的刻蚀周期以及单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，实时计算 当前时间点t的已被刻蚀掉的硅片厚度；通过比较所计算得到的厚度与本 次工艺所需刻蚀的厚度，获知当前时间点t是否到达工艺终点，进而执行 相应的控制。优选的，也可以通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据 本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，获取工 艺终点所需的周期数；进而，依据本次工艺的刻蚀周期，得到本次工艺 的终点预测时间；通过比^^当前时间点t与所述终点预测时间，获知当前 时间点t是否到达工艺终点，进而执行相应的控制。优选的，所述的方法还可以包括对所获取的光学干涉探测谱线进 行预处理，所述预处理包括滤波处理和/或延迟处理，所述延迟处理用于 忽略探测谱线开始一段时间的无效信号。优选的，可以通过以下方式在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信 号和/或波谷信号判断光学干涉探测谱线中光谱信号的变化趋势；若光 语信号先呈现出上升的趋势，则启动以波峰搜索开头的波峰波谷相间的搜索 过程；若光谱信号先呈现出下降的趋势，则启动以波谷搜索开头的波峰波谷 相间的搜索过程。优选的，也可以通过以下方式在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰 信号和/或波谷信号直接搜索波峰信号；和/或，直接搜索波谷信号。优选的，所述的方法还可以包括针对当前搜索得到的波峰或波谷 信号，如果其与前一个波谷或波峰信号之间的时间差小于半个预设周期， 则放弃当前搜索得到的波峰或波谷信号，重新搜索；或者，针对当前搜 索得到的波峰或波谷信号，如果其与前一个波峰或波谷信号之间的时间 差小于一个预设周期，则放弃当前搜索得到的波峰或波谷信号，重新搜 索。依据本专利技术的另 一实施例，还公开了 一种半导体刻蚀工艺的终点控 制装置，包括信号获取模块，用于获取实时的光学干涉探测谱线； 波峰波谷搜索模块，用于在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；终点控制模块，用于依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制。优选的，所述的装置还可以包括预处理模块，用于对所获取的光 学干涉探测谦线进行预处理，所述预处理包括滤波处理和/或延迟处理， 所述延迟处理用于忽略探测谱线开始 一段时间的无效信号。优选的，所述的装置还可以包括检验模块，用于针对当前搜索得 到的波峰或波谷信号，当其与前一个波谷或波峰信号之间的时间差小于 半个预设周期时，放弃当前搜索得到的波峰或波谷信号，通知波峰波谷 搜索模块重新搜索；或者，针对当前搜索得到的波峰或波谷信号，当其 与前一个波峰或波谷信号之间的时间差小于一个预设周期时，放弃当前 搜索得到的波峰或波谷信号，通知波峰波谷搜索模块重新搜索。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点为了满足复杂工艺的需求，以及能够获取层内工艺的终点时间，本专利技术 放弃了传统常用的光学发射光谞信号，釆用了IEP探测谱线(Interferometry EndPoint),即光学千涉光语信号，以实现对层内工艺刻蚀过程进行监控。其次，本专利技术在利用IEP探测谱线抓取工艺终点的过程中，采用了针对 IEP探测谱线搜索波峰波谷的计算过程，而避免采用一些复杂算法(例如， 时域信号和频域信号相互转换的傅立叶变换等等)，其计算量相对较小，不 但可以实现层内工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，其特征在于，包括：　获取实时的光学干涉探测谱线；　在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和／或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；　依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制。

【技术特征摘要】
1、一种半导体刻蚀工艺的终点控制方法，其特征在于，包括获取实时的光学干涉探测谱线；在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号，进而获得本次工艺的刻蚀周期；依据本次工艺所需刻蚀的厚度、单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度以及本次工艺的刻蚀周期，对本次刻蚀工艺进行终点控制。2、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺的刻蚀周期，实时计算截止到当前时间点t，本次刻蚀工艺所经过的周期数；依据本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，获取工艺终点所需的周期数；通过比较上述两个周期数，获知当前时间点t是否到达工艺终点，进而执行相应的控制。3、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺的刻蚀周期以及单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，实时计算当前时间点t的已被刻蚀掉的硅片厚度；通过比较所计算得到的厚度与本次工艺所需刻蚀的厚度，获知当前时间点t是否到达工艺终点，进而执行相应的控制。4、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，通过以下方式完成对本次刻蚀工艺的终点控制依据本次工艺所需刻蚀的厚度和单刻蚀周期所能刻蚀掉的硅片厚度，获取工艺终点所需的周期数；进而，依据本次工艺的刻蚀周期，得到本次工艺的终点预测时间；通过比较当前时间点t与所述终点预测时间，获知当前时间点t是否到达工艺终点，进而执行相应的控制。5、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，还包括对所获取的光学千涉探测语线进行预处理，所述预处理包括滤波处理和/或延迟处理，所述延迟处理用于忽略探测谱线开始一^爻时间的无效信号。6、 如权利要求5所述的方法，其特征在于，通过以下方式在所述光学干涉探测谱线中搜索波峰信号和/或波谷信号判断光学干涉探测语线中光i普信号的变化趋势；若光谱信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：张善贵，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：11