形成功能沉积膜的方法技术

向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子。与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与隋性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及形成含有第四族原子作为主要组成原子的功能沉积膜，或含有硅原子和第四族原子作为主要组成原子的功能沉积膜的改进了的方法，该功能沉积膜可专门作半导体器件的光导元件和用在电子摄象技术，象输入线路传感器，摄象装置，光电动势装置或类似装置的光敏器件。更具体地说，本专利技术涉及在基片上有效地形成功能沉积膜的改进了的方法，这是通过用氢气或氢气与惰性气体组成的混合气体被微波等离子体造成处于激发态的激发的氢原子，并使所述激发态的氢原子与成膜原料气体或单独激活的成膜原料气体在成膜室中接触，从而产生化学反应，同时控制氢原子的激发态来进行的，微波等离子体是在一微波迥路中置于与两个阻抗匹配迥路结合的共振腔中的等离子体产生室中产生的。对功能沉积膜，特别是半导体沉积薄膜的形成，已经存在考虑到与所要求的电学、物理性质以及其应用相适应的成膜方法。例如，已经试用过等离子体化学汽相沉积(CVD)法，活性溅射法、离子镀法，光CVD法，热诱导的CVD法，MOCVD法，MBE法等，它们中有几个因适于形成要求的半导体装置已被用于工业生产中。但是，即使在已被广泛采用的等离子体CVD方法中，考虑到制造所需半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成功能沉积膜的方法，通过向在其上形成沉积膜的基片所在的成膜空间引入作为成膜原料的含有属于周期表第四族元素的化合物。以及，如果需要，引入含有能控制沉积膜价电子的元素作为组成成分的化合物，形成含有周期表第四族原子作为主要组成原子的功能沉积膜，每一化合物成气态或者至少化合物是在与所述成膜空间分开的激活空间中预激活的状态，同时形成激发态氢原子，它们与至少一种所述气态的或者在不同于所述成膜空间的激活空间中处于激活态的被引入成膜空间的化合物起化学反应，从而在所述基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中的与两个阻抗匹配回路相结合的共振腔中的等离子体产生室中产生的微波等离子体，从氢气或氢气与一惰性气体组成的...

【技术特征摘要】
JP 1988-2-1 21798/88;JP 1988-2-1 21799/19881.一种形成功能沉积膜的方法，通过向在其上形成沉积膜的基片所在的成膜空间引入作为成膜原料的含有属于周期表第四族元素的化合物。以及，如果需要，引入含有能控制沉积膜价电子的元素作为组成成分的化合物，形成含有周期表第四族原子作为主要组成原子的功能沉积膜，每一化合物成气态或者至少化合物是在与所述成膜空间分开的激活空间中预激活的状态，同时形成激发态氢原子，它们与至少一种所述气态的或者在不同于所述成膜空间的激活空间中处于激活态的并被引入成膜空间的化合物起化学反应，从而在所述基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中的与两个阻抗匹配回路相结合的共振腔中的等离子体产生室中产生的微波等离子体，从氢气或氢气与一惰性气体组成的气态混合物形成所述激发态氢原子，并且氢原子的激发态是受到控制的。2.根据权利要求1的形成功能沉积膜的方法，其中氢原子的激发态是通过用发射分光光度测量方法测量氢原子激发态的发射强度比Hα/Hβ来控制的，并控制供给其共振腔的微波功率，阻抗匹配条件，氢气流率或氢气与惰性气体的气态混合物的流率以及总压强中的至少一个参数，以获得所述强度比的所需值。3.根据权利要求1或2的形成功能沉积膜的方法，其中在微波回路中与两个阻抗匹配回路相结合的共振腔中的阻抗匹配回路是置于改变空腔长度的活动圆柱或置于波导管与共振腔连接部分的约束装置，通过调整这些装置来控制阻抗匹配回路。4.根据权利要求3的形成功能沉积膜的方法，其中阻抗匹配回路是改变共振腔的活动圆柱和一个E-H调谐器或一个三抽头调谐器。5.根据权利要求1的形成功能沉积膜的方法，其中等离子体产生室包括一个金属网组件和可渗透微波的钟罩，该等离子体形成室通过所述金属网组件与所述成膜空间连在一起。6.根据权利要求5的形成功能沉积膜的方法，其中激发态的氢原子通过金属网组件引入成膜空间。7.根据权利要求5的形成功能沉积膜的方法，其中基片相对于金属网表面水平轴成30°度角或更小，并与所述金属网表面相距在100毫米以内，把气态或激活态化合物从置于所述金属网表面和所述基片之间的气体释放装置引入成膜空间。8.根据权利要求7的形成功能沉积膜的方法，其中气体释放装置呈环形安装在基片四周，气体释放孔之间的间隔从引入气体一侧向着所述气体释放装置的最后释放孔逐渐减小，使从各气体释放孔来的气体释放量均匀。9.根据权利要求7的形成功能沉积膜的方法，其中气体释放装置呈环形安装在基片四周，气体释放孔的孔径从引入气体一侧向着所述气体释放装置的最后释放孔逐渐增加，使从各气体释放孔来的气体释放量均匀。10.根据权利要求7的形成功能沉积膜的方法，其中气体释放装置的气体释放孔至少在基片平面内均匀分布，各气体释放孔的孔径从引入气体一侧向着所述气体释放装置的中央部分逐渐增加，使从各气体释放孔来的气体释放量均匀。11.一种形成功能沉积膜的方法，通过向在其上形成沉积膜的基片...

【专利技术属性】
技术研发人员：新井孝至，金井正博，川上一郎，村上勉，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]