磷化镓发光二极管电极制备工艺制造技术

磷化镓发光二极管电极制备工艺，本发明专利技术涉及发光二极管电极制备工艺。它提出一种具有多组分电极结构的材料配方，借助多层真空镀膜，控制镀膜厚度，优选合金热处理的工艺条件，降低合金热处理的温度，获得较低的比接触电阻，线性好、斜率大的伏安特性，在半导体表面上获得一个高掺杂的半导体层。其工序简便、安全，充分利用现有中小规模光电器件管芯制备的常规设备，用料省，成本低。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管电极制备工艺。磷化镓(Gap)是当前可见光中最重要的一种固体发光显示材料，Gap发光管是在n-Gap衬底上利用液相外延技术制备PN结的。PN结形成后还必须在P、N面上分别制备电极以保证器件在外电场作用下发生少子注入而发光。众所周知，在器件的研制中，欧姆电极的制备工艺直接影响到器件的正向压降、功耗和光电性能。Gap属于宽禁带化合物半导体，电阻率高，且因偏离组分比的分解温度低而易分解，所以磷化镓发光二极管的电极制备是发光管管芯工艺中的关键和难题之一。已有的电极制备工艺是用真空镀膜方法分别在P面、N面上蒸发上含有受主掺杂剂、施主掺杂剂的金基电极，以便在半导体表面上形成一层有较高掺杂浓度层，使金属-半导体接触表现出欧姆性质。在真空镀膜中使用什么电极配方，如何控制真空镀膜条件以获得最佳厚度的沉积金及其合金层，这是电极制备中的首要问题。其次是如何控制合金热处理温度，这是关系到能否在M-S界面层产生一高掺杂层的关键。上述三者互相制约、影响。J.Pfeifer(见Solid-State Electronics，19(1976)927-928)公开了一种电极制备工艺，P面本文档来自技高网...

【技术保护点】
在Ｇａｐ发光二极管的外延片上制备电极的一种工艺，主要包括外延片的预处理，采用真空镀膜方法分别在Ｐ面和Ｎ面蒸发上含有受主掺杂剂、施主掺杂剂的金基电极，光刻电极圆点，并通过气流进行合金热处理，其特征在于（１）所说的蒸发电极采用具有三层电极的结构，Ｐ面镀膜的第一层用Ａｕ－Ｓｂ，第二层用Ａｕ－Ｂｅ，第三层用Ａｕ，配方为第一层：（９９～９４）％－（１～６）％第二层：（９９～９７）％－（１～３）％，三层镀膜的厚度分别为（２００～５００）埃（８００～２０００）埃和大于６０００埃；Ｎ面的第一层用Ａｕ－Ｓｂ，第二层用Ｓｎ－Ｓｂ，第三层用Ａｕ，第一、二层的配方均为（９９～９７）％－（１－３）％，第一层镀膜的厚度为...

【技术特征摘要】
1.在Gap发光二极管的外延片上制备电极的一种工艺，主要包括外延片的预处理，采用真空镀膜方法分别在P面和N面蒸发上含有受主掺杂剂、施主掺杂剂的金基电极，光刻电极圆点，并通过气流进行合金热处理，其特征在于(1)所说的蒸发电极采用具有三层电极的结构，P面镀膜的第一层用Au-Sb，第二层用Au-Be，第三层用Au，配方为第一层(99～94)%-(1～6)%第二层(99～97)%-(1～3)%，三层镀膜的厚度分别为(200～500) (800～2000) 和大于6000 ；N面的第一层用Au-Sb，第二层用Sn-Sb，第三层用Au，第一、二层的配方均为(99～97...

【专利技术属性】
技术研发人员：林秀华，江炳熙，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：35[中国|福建]