在太阳能电池基片上形成扩散结的方法和设备技术

硅太阳能电池是通过让基片经受扩散以形成Ｐ－Ｎ结的过程制造的，其中含有选定择杂物的液态择杂物源材料是喷涂在该基片的一侧，而后将基睛在含氧环境中焙烧，所用的条件是计算出来的，以让该择杂物能扩散进入基片。从而在每一基片上形成浅薄的Ｐ－Ｎ结。（*该技术在2011年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术与阻挡层光电池的制造有关，更确切地说，它是关于通过扩散产生光电池结的改进方法，这种方法具有节约成本而又不会丧失可靠性或转换效率的优点。众所周知，要达到生产大批合乎规格的具有较高效率并以较低成本的硅太阳能电池的目的，是不能指望通过单个
取得惊人突破的形式出现的。相反，技术熟练的人们懂得，提供经济上和技术上合格的阻挡层太阳能电池的目标，可以通过许多看来似乎比较普通但在技术上创新的进展的综合效果来达到。因此，在阻挡层光电池技术特定领域中看来似乎工艺学方面进展较小，但从节约成本而又能生产出具有较高效率的太阳能电池的观点看，实际上可能是非常有意义的。目前以及本专利技术之前的许多年间，大量的努力被花费在创造一些制造太阳能电池的方法方面，以达到如下目标(1)比较高的能量转换效率和功率输出;(2)高的生产率，以及(3)低的成本。另外，大量的关心还在于提供工作可靠并在工作环境中不容易退化的太阳能电池。一种努力方向是制造成本较低的硅光电池，其中包括通过电场梯度(EFG)工艺生长的多晶硅片的生产和使用。其它一些努力包括使用浇注(Cast)多晶片、枝晶网(Web)硅片，或者其它更接近单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基片上形成ｐ－ｎ结的方法，包括以下步骤：　　（ａ）将多块带有前后表面的基片运送进入加工室，所述基片为具有第一个导电率型；　　（ｂ）在上述处理室中，不使用空气在每一个上述前表面上喷涂一层液态掺杂物源材料；　　（ｃ）对上述涂层进行干燥，以在上述前表面上留下含掺杂物的残留物，以及　　（ｄ）对上述干燥过的涂层进行焙烧，使上述掺杂物从上述残留物中扩散到上述基片中，以便提供第二个相反导电率型的区域以及在靠近上述前表面处的ｐ－ｎ结。

【技术特征摘要】
US 1990-10-24 604,0001.一种在基片上形成p-n结的方法，包括以下步骤(a)将多块带有前后表面的基片运送进入加工室，所述基片为具有第一个导电率型；(b)在上述处理室中，不使用空气在每一个上述前表面上喷涂一层液态掺杂物源材料；(c)对上述涂层进行干燥，以在上述前表面上留下含掺杂物的残留物，以及(d)对上述干燥过的涂层进行焙烧，使上述掺杂物从上述残留物中扩散到上述基片中，以便提供第二个相反导电率型的区域以及在靠近上述前表面处的p-n结。2.根据权利要求1的方法，其中基片上没有液态掺杂物源材料能够被提供给上述基片的上述后表面。3.根据权利要求1的方法，其中所述的掺杂物是磷。4.根据权利要求1的方法，其中所述的液态掺杂物源材料是以低速喷在上述基片上的。5.根据权利要求1的方法，其中所述的多块基片是依次运动经过上述处理室。6.根据权利要求5的方法，其中所述的多块基片是经由运输机运送经过上述处理室的。7.根据权利要求6的方法，其中所述的基片是在由吸液材料制作的传送带上运送，经过上述处理室的。8.根据权利要求7的方法，其中所述的传送带包括由纸或织物制作的带。9.根据权利要求7的方法，其中所述的传送带是由纸制作的。10.根据权利要求6的方法，其中所述的运输机是以5-100吋/分的速度运动的。11.根据权利要求1的方法，其中的步骤(d)是在约880℃与950℃之间的焙烧温度下进行的。12.根据权利要求1的方法，其中的步骤(b)是使用包括磷硅酸盐聚合物在内的液体掺杂物源材料完成的。13.根据权利要求1的方法，其中的步骤(b)是在受控的湿度气氛下进行的。14.根据权利要求1的方法，其中所述的液态掺杂物源材料是借助于超声喷涂装置喷在上述基片上的。15.根据权利要求14的方法，其中所述的超声喷涂装置是工作在48KHZ数量级的频率上。16.根据权利要求14的方法，其中所述的超声喷涂装置是以每分钟约48个完整行程数量级的速率横过上述基片作往复运动的。17.根据权利要求1的方法，其中所述的液体掺杂物源材料的涂覆是在室温上完成的。18.根据权利要求1的方法，其中所述的液态掺杂物源材料，(a)是在室温下施加在上述基片上的;(b)是在约300℃与500℃之间的温度下持续约2到5分钟进行干燥的;以及(c)是在约880℃和950℃之间的温度下持续约5到20分钟进行焙...

【专利技术属性】
技术研发人员：MD罗森布拉姆，JI汉诺卡，
申请(专利权)人：其他，
类型：发明
国别省市：US[美国]