一种硅太阳电池p-n结的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种硅太阳电池Ｐ－Ｎ结的制作方法，它包括以下步骤：首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于：将所述硅片每两片为一组，且将所述两硅片的所述有源面相对放置在同一固定装置中。本发明专利技术在其它工艺条件相同的情况下，可以有效地提高太阳电池Ｐ－Ｎ结表面电阻的均匀度和光电转换效果，同时可以提高生产效率，节省能源，减少对环境的污染，它可以广泛用于各种硅太阳电池Ｐ－Ｎ结的制作中。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硅太阳电池P-N结的制作方法。一般硅太阳电池P-N结的制作方法是将涂有掺杂物源的硅片单片放入扩散炉中烧结，比如在链式炉中，是将硅片具有掺杂物源的一面向上，单片水平放置在输送带上；而在管式炉中是将硅片插设在一框架上的卡槽中，通过气体携带掺杂物源进行扩散。其存在的问题是1、由于炉内气流不均匀，会造成扩散结表面电阻不均匀。2、如果炉内不干净，会造成对硅片的污染。3、由于是单片烧结，为了保证电池的各项指标，对硅片表面涂敷的掺杂物源的均匀度要求很高。4、由于是单片烧结，生产效率较低。针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种表面电阻均匀、生产效率高的硅太阳电池P-N结的制作方法。为实现上述目的，本专利技术采取以下设计一种硅太阳电池P-N结的制作方法，它包括以下步骤首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于将所述硅片每两片为一组，且将所述两硅片的所述有源面相对放置在同一固定装置中。所述固定装置中的所述硅片为一组或一组以上。所述有源面相对的两硅片之间的间隙可以大于零。所述无源面相对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅太阳电池Ｐ－Ｎ结的制作方法，它包括以下步骤：首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于：将所述硅片每两片为一组，且将所述两硅片的所述有源面相对放置在同一固定装置中。

【技术特征摘要】
1.一种硅太阳电池P-N结的制作方法，它包括以下步骤首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于将所述硅片每两片为一组，且将所述两硅片的所述有源面相对放置在同一固定装置中。2.如权利要求1所述的一种硅太阳电池P-N结的制作方法，其特征在于所述固定装置中的所述硅片为一组以上。3.如权利要求1或2所述的一种硅太阳电池P-N结的制作方法，其特征在于所述有源面相对的两硅片之间的间隙大于零。4.如权利要求1或2所述的一种硅太阳电池P-...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑识宇，温建军，莫春东，赵玉文，刘正昕，
申请(专利权)人：北京市太阳能研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]