【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种供利用于一例如在玻璃等绝缘基板上形成有薄膜晶体管的有源矩阵(active matrix)型液晶显示装置或图像感测器等，由非晶硅膜加以结晶化而成的结晶硅膜，以及具有该结晶硅膜的半导体器件及其制造方法。上述有源矩阵型液晶显示装置或图像感测器等当中所使用的半导体器件已知有一种构成是在玻璃等绝缘基板上形成薄膜晶体管(TFT)，再藉由该TFT来驱动像素。在上述TFT中，一般都使用硅半导体膜，而作为该硅半导体膜者又可大类分成两种，即一由非晶硅(a-Si)半导体所组成，以及一由具有结晶性的硅半导体所组成。前者的非晶硅半导体由于其制造温度相当低，且可以以汽相生长法较简易地制作可以批量生产，因而最广泛地为一般使用，然而，其导电性等物理性质比起内有结晶性的硅半导体则较差。因此，以后，为了获得更高速的特性，强烈要求确立后者的由具有结晶性的硅半导体所组成的TFT的制作方法。又，已知有使用多晶硅、微晶硅、包含结晶成分的非晶硅、处于结晶与非晶中间状态的半非晶硅等来作为该具有结晶硅半导体，而获得该硅半导体的方法则已知有下述几种。(1)在成膜时，直接形成一具有结晶性膜的方...
【技术保护点】
一种结晶硅膜，其特征在于，这种结晶硅膜，是藉由在以热处理使非晶硅膜结晶化之际，使结晶核于会产生结晶核之时期的一部或全部内产生，然后，于防止结晶核产生之状态下，使其结晶生长而得。
【技术特征摘要】
JP 1994-7-6 155013/941.一种结晶硅膜，其特征在于，这种结晶硅膜，是藉由在以热处理使非晶硅膜结晶化之际，使结晶核于会产生结晶核之时期的一部或全部内产生，然后，于防止结晶核产生之状态下，使其结晶生长而得。2.如权利要求1所述的结晶硅膜，其特征在于，它是由导入一供助长结晶化的触媒元素于该非晶硅膜上。3.如权利要求1所述的结晶硅膜，其特征在于使该等结晶核在各相邻结晶核之间有一基本上不变的距离之下产生。4.如权利要求1所述的结晶硅膜，其特征在于，各结晶粒径的大小差距在±20％以内。5.如权利要求1所述的结晶硅膜，其特征在于使该非晶硅膜结晶化的加热温度设定在580℃或以下。6.一种半导体器件，其系利用一具有结晶硅膜，包括一具有绝缘表面的基板，和一有源区域，该有源区域由权利要求1所述结晶硅膜所构成的。7.一种半导体器件，包含多个薄膜晶体管，其中的沟道区域在基板的绝缘表面上用结晶硅膜形成，其特征在于各个薄膜晶体管间的在该沟道区域内横切沟道方向的晶界个数差距在±20％以内。8.一种半导体器件，包含多个薄膜晶体管，其中的沟道区域在基板的绝缘表面上用结晶硅膜形成，其特征在于各个薄膜电晶...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。