【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有结晶性的薄膜半导体。此外还涉及该薄膜半导体的制作方法。还涉及利用了该薄膜半导体的半导体装置以及该半导体装置的制作方法。人们都知道一种先在玻璃基板和石英基板上形成具有结晶性的硅膜，再用该硅膜来制作薄膜晶体管(以下称之为TFT)的技术。该薄膜晶体管被称之为高温多晶硅TFT和低温多晶硅TFT。高温多晶硅TFT是把800℃或900℃以上这样的比较高温的加热处理用作结晶性硅膜的制作方法的技术。可以说该技术是利用了单晶硅圆片的IC制作工艺的派生技术。当然，作为制作高温多晶硅TFT的基板，通常利用能耐上述加热温度的石英基板。另一方面，低温多晶硅TFT，利用便宜的玻璃基板作为基板(当然，耐热性不如石英基板)。在构成低温多晶硅TFT的结晶性硅膜的制作中，利用玻璃基板可以耐受600℃以下的加热和对玻璃基板几乎没有热损伤的激光退火技术。高温多晶硅TFT的特征是可在基板上集成特性一致的TFT。另一方面，低温多晶硅TFT的特征是可以利用便宜且易于大面积化的玻璃基板作为基板。此外，在现有技术中，不论是高温多晶硅TFT还是低温多晶硅TFT其特性没什么大的不同，硬要说出不...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征是： 具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成； 构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜利用了从多个点放射状地进行了结晶生长的结晶性硅膜构成。
【技术特征摘要】
JP 1996-1-20 26037/96;JP 1996-1-19 26210/96;JP 1991.一种半导体装置，其特征是具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成；构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜利用了从多个点放射状地进行了结晶生长的结晶性硅膜构成。2.一种半导体装置，其特征是具有在带有绝缘表面的基板上边已制作上多个薄膜晶体管的构成；构成上述多个薄膜晶体管的有源层的结晶性硅膜由在特定的方向上已进行了结晶生长的宽度为从约等于膜厚～2000的细长的多个构造体构成；上述特定的方向在各个薄膜晶体管中都不相同。3.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是在整个结晶性硅膜的表面上都已形成了热氧化膜，且该热氧化膜的膜厚比上述结晶性硅膜的膜厚还要厚。4.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是在整个结晶性硅膜中含有助长硅结晶化的金属元素，作为该金属元素已利用了镍(Ni)；上述镍元素的含有浓度为1×1014个原子/cm3～5×1018个原子/cm3。5.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是作为助长硅结晶化的金属元素，在整个结晶性硅膜中已含有镍(Ni)；上述镍元素的含有浓度为1×1016个原子/cm3～5×1017个原子/cm3。6.按照权利要求1或2的半导体装置，其特征是在整个结晶性硅膜中已含有助长硅结晶化的金属元素；作为该元素可以利用从Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、P...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，寺本聪，小山润，尾形靖，早川昌彦，纳光明，大谷久，滨谷敏次，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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