【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有源液晶显示器的薄膜晶体管开关器件制作方法。随着个性化、多样化、快节奏的信息社会的发展，作为信息显示的终端的平板显示器件以其小型、轻便、节能和多样的特点逐渐成为当前各类显示器件发展的主流。在种类繁多的平板显示器件中，液晶显示器件(LCD)无疑是其中的一个姣姣者。而薄膜晶体管矩阵寻址的有源液晶显示器(TFT-LCD)又是LCD中的主导，它在显示性能方面可全面与CRT相媲美，并且已经形成了相当规模的产业。由于用于TFT开关器件有源层的氢化非晶硅(a-Si∶H)对光十分敏感，当光照射到TFT有源层沟道时便会在a-Si∶H内激发出电子-空穴对，从而降低器件的截止电阻，影响液晶象素上的电荷存贮特性，使显示器件的对比度急剧下降，因此在传统的TFT-LCD制作过程中，人们需要用在a-Si∶H有源层沟道上面加黑层的方法来解决这一问题。但是，目前TFT-LCD器件的制作工序复杂，通常黑层与彩膜一起做在液晶盒的上玻璃基板上(制作黑层的过程包括成膜工艺、涂胶工艺、曝光工艺、显影工艺和去胶工艺)。通过对版工艺将上玻璃基板的黑层矩阵一一与下玻璃基板的每个TFT器件的...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管开关器件的制作方法，在氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层，其特征在于绝缘介质层为倒梯形结构，上边长等于栅电极宽度，也可以小于栅电极宽度，高度大于１．５倍的源、漏电极的厚度。
【技术特征摘要】
1．一种薄膜晶体管开关器件的制作方法，在氢化非晶硅(a-Si∶H)有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层，其特征在于绝缘介质层为倒梯形结构，上边长等于栅电极宽度，也可以小于栅电极宽度，高度大于1.5倍的源、...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘洪武，杨柏梁，王刚，朱永福，黄锡珉，马凯，
申请(专利权)人：中国科学院长春物理研究所，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]
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