半导体器件的制造方法技术

在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后，通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区，源区和漏区。然后，形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层，通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说，对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷，同时不会对衬底造成热损坏。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，该方法包括用能量束激活掺在半导体层中的杂质的步骤。具体来说，本专利技术涉及优选用于在低耐热衬底上生产顶栅薄膜晶体管(TFT)的半导体器件的一种制造方法。近年来，在玻璃衬底上形成的多晶硅(Si)TFT用于液晶显示器的像素和激励器中作为开关器件，还开发作为半导体储存器件。在如TFT等的半导体器件中，衬底必须轻，抗震，并且有韧性，使得其受到一定的应力时不会损坏。因此，现有技术中已用玻璃衬底。硅衬底或类似物作为衬底。玻璃衬底有低耐热性(耐热温度是400℃)。因此，在半导体层等上进行热处理是通过用能量束如激光，红外线灯等进行局部加热从而使衬底保持较低温度进行的。近来，由于塑料衬底和上述衬底相比更轻，更抗震而被应用。但是，由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或类似物制成的塑料衬底的耐热温度是约200℃或低于200℃，这低于玻璃衬底的耐热温度。因此，必须在200℃或更低温度下进行所有的生产步骤来制造使用塑料衬底的半导体器件。具体来说，不仅要在200℃或更低温度下进行为了使杂质激活或用于结晶的热处理，而且更在200℃或更低温度下制作用于栅极绝缘膜，中间层绝缘膜等的薄膜如二氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤： 在衬底上形成一个半导体层； 选择性地在半导体层上形成一个金属层，并在半导体层和金属层之间有一个绝缘层； 用金属层作为掩膜选择性地将杂质掺入半导体层； 形成一个能量吸收层以覆盖绝缘层和金属层；和 从能量吸收层一侧辐射能量束来激活掺在半导体层中的杂质。

【技术特征摘要】
JP 2000-5-31 162114/20001.一种半导体器件的制造方法，其包括如下步骤在衬底上形成一个半导体层；选择性地在半导体层上形成一个金属层，并在半导体层和金属层之间有一个绝缘层；用金属层作为掩膜选择性地将杂质掺入半导体层；形成一个能量吸收层以覆盖绝缘层和金属层；和从能量吸收层一侧辐射能量束来激活掺在半导体层中的杂质。2.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中使用的衬底的软化点是250℃或更低。3.根据权利要求2的半导体器件的制造方法，其中的衬底是由有机聚合物材料制成，4.根据权利要求1的半导体器件的制造方法，其中的能量吸收层由有等于或低于能量束能量的带隙的材料制成。5.根据权利要求4的半导体器件的制造方法，其中的能量吸收层...

【专利技术属性】
技术研发人员：G达拉姆帕尔，野本和正，町田晓夫，中越美弥子，碓井节夫，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]