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半导体器件的制造方法技术
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文档序号:3217334
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在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量...
该专利属于索尼株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过索尼株式会社授权不得商用。
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