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一种薄膜晶体管开关器件的制作方法技术
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文档序号:3219979
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本发明公开了一种有源液晶显示器的薄膜晶体管开关器件制作方法。在氢化非晶硅(a-Si:H)有源层上用光刻方法制作一绝缘介质层,绝缘介质层为倒梯形结构和矩形结构,上边长等于栅电极宽度,也可以小于栅电极宽度,高度大于1.5倍的源、漏电极的厚度。...
该专利属于中国科学院长春物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院长春物理研究所授权不得商用。
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