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本发明的结晶硅膜系于在基板上形成一受导入有供助长结晶化之触媒元素的非晶硅膜之后，使其在一因热处理而会产生结晶核之时期的一部分或整个时期当中，产生结晶核，然后，在于防止产生结晶核之状态下，进行结晶生长。结果，可以获得一结晶粒之尺寸具有均一性的...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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