【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，通过在由玻璃或类似物制成的绝缘衬底上或各种衬底上形成的绝缘膜上淀积非单晶硅(下文称Si)膜制备半导体器件，如薄膜晶体管(TFT)、薄膜二极管(TFD)、以及包括晶体管和二极管的薄膜集成电路，特别是用于有源液晶显示器(LCD)的薄膜集成电路。近来已开发出一种半导体器件，其中的TFT被装配在由玻璃或类似物制成的一种绝缘衬底上，如有源液晶显示器，和一图象传感器，其中的TFT被用于驱动用象素。一般薄膜Si半导体被用于上述器件中使用的TFT。上述薄膜Si半导体包括两种类型半导体，它们是非晶Si半导体(a-Si)和结晶Si半导体。非晶Si半导体被使用得最普遍，因为它易于在低温用汽相工艺制造，而且适于批量生产；但其导电性比结晶Si半导体低。所以，人们强烈要求产生一种由结晶Si半导体来制作TFT的制作方法，可得到下文将述的高速特性。作为一种结晶Si半导体，多晶硅，微晶硅，包括结晶成分的非晶硅以及介于结晶和非晶中间状态的半导非晶硅都是公知的。作为薄膜结晶Si半导体的制作方法，下列方法是公知(1)直接淀积结晶膜。(2)首先淀积非晶体半导体...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上形成非单晶硅膜； 形成催化元素用以促进与其接触的硅的结晶； 将所说衬底脱氢； 在形成所说催化元素后通过热退火使非单晶硅膜结晶； 所说热退火后，在含卤素化合物气体的氧化气体中通过将所说硅膜氧化以在所说硅膜上形成氧化层；然后 除去所说氧化层以露出所说硅膜的表面。
【技术特征摘要】
JP 1993-7-27 204774/93;JP 1993-7-30 208996/931.一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成非单晶硅膜；形成催化元素用以促进与其接触的硅的结晶；将所说衬底脱氢；在形成所说催化元素后通过热退火使非单晶硅膜结晶；所说热退火后，在含卤素化合物气体的氧化气体中通过将所说硅膜氧化以在所说硅膜上形成氧化层；然后除去所说氧化层以露出所说硅膜的表面。2.根据权利要求1的方法，其特征在于，在所说氧化层形成期间，改善了所说硅膜的结晶性。3.根据权利要求2的方法，其特征在于，所说脱氢是在约450℃下进行约一小时。4.一种制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成催化元素膜；形成非单晶硅膜与所说催化元素相接触，所说催化元素促进与其接触的所说硅膜的结晶；将所说衬底脱氢；在形成所说催化元素后，用热退火使非单晶硅膜结晶；在所说热退火后，于含卤素化合物气体的气氛中用光辐照所说硅膜以在的说硅膜上形成氧化层；然后用刻蚀法除去所说氧化层。5.根据权利要求4的方法，其持征在于，它还包括用光辐照所说硅膜以增加经热退火的非单晶硅膜的结晶性，其中所说硅膜的结晶性是通过所说光的辐射而改善的。6.根据权利要求5的方法，其特征在于，所说脱氢是在约450℃下进行约一小时。7.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤在绝缘表面上形成非单晶半导体膜；所说半导体膜设有能促进所说半导体膜结晶的催化材料；进行所说设有所说催化材料的半导体膜的结晶；在所说结晶后于含有卤素化合物气体的氧化气氛中氧化所说半导体膜以在其一曝露的表面上形成所说半导体层的氧化层；以及除去所说氧化层。8.根据权利要求7的方法，其特征在于，所说卤素是从氟和氯所组成的组合中选出的。9.根据权利要求7的方法，其特征在于，所说卤素化合物气体是从HCl、CCl4和SiCl4所组成的组合中选出的。10.根据权利要求7的方法，其特征在于，所说卤素化合物气体是从NF3和C2F6组成的组合中选出的。11.根据权利要求7的方法，其特征在于，所说结晶是通过加热所说半导体层来进行的。12.根据权利要求7的方法，其特征在于，它还包括在所说半导体层中形成所说半导体器件的有源区。13.根据权利要求7的方法，其特征在于，所说半导体层包括硅。14.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤在绝缘表面上形成非单晶半导体膜；为所说半导体膜提供能促进所说半导体膜的结晶的催化材料；进行设有所说催化材料的所说半导体膜的结晶；在所说结晶后，于含有氟的化合物气体的气氛中氧化所说...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，大沼英人，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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