【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜晶体管(TFTs)以及制造TFTs的方法。另外本专利技术涉及使用多个TFTs的半导体电路及制造这种半导体器件的方法。或在玻璃等绝缘衬底或者在硅单晶半导体衬底上，形成按照本专利技术制造的薄膜晶体管。尤其本专利技术适用于半导体器件，该器件包括低速阵列电路和用于驱动阵列电路的高速外围电路，例如用于驱动液晶显示管中的单片有源阵列电路。本专利技术具有极大优点。在最近几年，研究了薄膜型有源层(亦称有源区域)的绝缘栅半导体器件。尤其认真研究了叫做TFT的薄膜型绝缘栅晶体管。在透明的绝缘衬底上形成这类晶体管，或者用以控制在诸如有阵列结构的液晶显示的显示器件中的每个象素或者用以构成驱动电路。根据所使用的半导体结晶状态或材料，他们被分类为非晶硅TFTs或晶体硅TFTs。通常，非晶半导体具有小的场迁移率，因此，他们不能用来作要求高速工作的TFTs。所以，近几年，研究了晶体硅TFTs，并开展了制造具有较高特性的器件。由于晶体半导体比非晶半导体具有更高的场迁移率，所以晶体半导体能以较高的速度工作。就晶体硅来说，可制造PMOSTFTs以及NMOS TFTs。例如，众所...
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤： 在一硅衬底上形成含非晶硅的半导体膜； 形成与所述半导体膜至少一部分接触的催化材料，该催化材料用于促进所述半导体膜的晶化；然后， 用激光照射所述半导体膜和所述催化材料，以使该半导体膜晶化。
【技术特征摘要】
JP 1993-3-12 79004/93;JP 1993-3-12 79005/931.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在一硅衬底上形成含非晶硅的半导体膜；形成与所述半导体膜至少一部分接触的催化材料，该催化材料用于促进所述半导体膜的晶化；然后，用激光照射所述半导体膜和所述催化材料，以使该半导体膜晶化。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化材料选自镍、铁、钴、铂和其硅化物一组材料。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化材料是用离子注入法形成的。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述照射激光过程是以加热方式进行的。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤在所述照射步骤之后，将磷离子引入所述半导体膜的一部分中；然后，在450°或450℃以上温度使所述半导体膜退火两小时或两小时以上。6.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在一玻璃衬底上形成含非晶硅的半导体膜；形成与所述半导体膜至少一部分接触的催化材料，该催化材料用于促进所述半导体膜的晶化；然后，用激光照射所述半导体膜和所述催化材料，以使该半导体膜晶化。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述催化材料选自镍、铁、钴、铂和其硅化物一组材料。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述催化材料是用离子注入法形成的。9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述照射激光过程是以加热方式进行的。10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤在所述照射步骤之后，将磷离子引入所述半导体膜的一部分中；然后，在450°或450℃以上温度使所述半导体膜退火两小时或两小时以上。11.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在二氧化硅膜上形成含非晶硅的半导体膜；形成与所述半导体膜至少一部分接触的催化材料，该催化材料用于促进所述半导体膜的晶化；然后，用激光照射所述半导体膜和所述催化材料，以使该半导体膜晶化。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述催化材料选自镍、铁、钴、铂和其硅化物一组材料。13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述催化材料是用离子注入法形成的。14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述照射激光过程是以加热方式进行的。15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤在所述照射步骤之后，将磷离子引入所述半导体膜的一部分中；然后，在450°或450℃以上温度使所述半导体膜退火两小时或两小时以上。16.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤在一绝缘表面上形成含非晶硅的半导体膜；形成与所述半导体膜至少一部分接触的催化材料，该催化材料用于促进所述半导体膜的晶化；然后，用激光照射所述半导体膜和所述催化材料，以使该半导体膜晶化，其中所述半导体膜是用CVD法形成的。17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述催化材料选自镍、铁、钴、铂和其硅化物一组材料。18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述催...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，高山彻，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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