【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及，更具体地说，涉及在多孔的半导体层上形成的非多孔的半导体层及其形成方法。本专利技术还涉及用作为一主要采用MOSFETs和双极性晶体管的集成电路基本部分的半导体基片及其形成方法。在关于以硅为基底的半导体器件的集成电路(IC)技术方面，已进行了各种，致力于硅-在-绝缘层上的形式的(SOI)结构的研究，其中，单晶硅膜沉积在绝缘层上，因为该结构降低了寄生电容并增强元件绝缘，因此，提高了晶体管的工作速度，降低了功率消耗，提高了集成密度，降低了总成本。为了形成SOI结构，在1970年代到1980年代初已有由Imai(K.Imai，固态电子学24(1981)，p.159)提出的“完全隔绝多孔硅法”(the Fullylsolation by Porous.Silicon(FIPOS))。FXPOS法利用多孔硅的加速氧化现象形成SOl结构，但是存在问题在于，其仅固有地以小岛形状形成表面硅层。近年来引起世界注意的其中一种SOl形成技术是晶片结合技术，围绕该技术已经提出各种不同的方法，因为SOl结构使得在表面硅层和掩蔽的氧化硅层的厚度方面以及表面硅层的充分结晶...
【技术保护点】
一种制造半导体基片的方法，包括下列步骤：提供一包含多孔硅层的基片的步骤；对多孔硅层进行热处理的热处理步骤；以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，其中热处理步骤在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中进行，使得因热处理而蚀去 的硅厚度不大于２纳米，且由（热处理后的表面孔密度）／（热处理前的表面孔密度）定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率ｒ满足关系式（１／１００００）≤ｒ≤１。
【技术特征摘要】
JP 1998-9-4 251270/981.一种制造半导体基片的方法，包括下列步骤提供一包含多孔硅层的基片的步骤；对多孔硅层进行热处理的热处理步骤；以及在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，其中热处理步骤在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中进行，使得因热处理而蚀去的硅厚度不大于2纳米，且由(热处理后的表面孔密度)/(热处理前的表面孔密度)定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率r满足关系式(1/10000)≤r≤1。2.一种制造半导体基片的方法，包括下列步骤提供一个包含多孔硅层的第一基片的步骤；对多孔硅层进行热处理的热处理步骤；在多孔硅层上生长非多孔单晶层的生长步骤，以及将在第一基片上的非多孔单晶层转移到第二基片上的步骤；其中热处理步骤在不包含非多孔单晶层的源气体的气氛中进行，使得因热处理而蚀去的硅厚度不大于2纳米，且由(热处理后的表面孔密度)/(热处理前的表面孔密度)定义的多孔硅层的表面孔密度的变化率r满足关系式(1/10000)≤r≤1。3.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的非多孔单晶层是以20纳米/分或更小的生长速度生长的。4.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的非多孔单晶层是以10纳米/分或更小的生长速度生长的。5.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的非多孔单晶层是以2纳米/分或更小的生长速度生长的。6.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的变化率r为(1/100)≤r≤1。7.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的被蚀去的厚度为1纳米或更小。8.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的非多孔单晶层是非多孔单晶硅层。9.根据权利要求1或2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的非多孔单晶层是SiGe、SiC或一种化合物半导体。10.根据权利要求2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的将非多孔单晶层转移到第二基片上的步骤包括下列步骤将第一基片和第二基片彼此结合，并使非多孔单晶层位于里面；以及除去多孔硅层。11.根据权利要求2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的将非多孔单晶层转移到第二基片上的步骤包括下列步骤将第一基片和第二基片彼此结合，并使非多孔单晶层位于里面；以及在多孔硅层处分开该结合的元件。12.根据权利要求2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的将非多孔单晶层转移到第二基片上的步骤包括下列步骤将第一基片和第二基片以其间夹有一绝缘层的方式彼此结合。13.根据权利要求12所述的制造半导体基片的方法，其中该绝缘层形成在非多孔单晶层和第二基片的至少其中之一上。14.根据权利要求2所述的制造半导体基片的方法，其中所说的第二基片是一单晶硅基片。15.根据权利要求2所...
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