半导体芯片封装件及其制造方法技术

一种半导体芯片封装件及其制造方法，该封装件包含一在相反的表面上有两层导热导电材料（例如铜）的陶瓷衬底。该两层由陶瓷中的孔内的金属材料进行热和电连接。其中一层上安装半导体芯片，其接触点与分离的电路电连接，最好用金属弹簧夹实现电路与外部衬底（例如印刷电路板）的连接。孔中的最佳金属有Ｓｎ∶Ｐｂ＝１０∶９０的焊料。封装件还可包括二种大体位于其顶部的保护性包封剂，用以保护芯片和电路。芯片与电路相连的最好方法是引线连接法。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片封装件，具体地说是采用其上安装有一个或多个芯片的陶瓷衬底的那种封装件。更确切地说，本专利技术涉及被设计用来安装到外部衬底(例如印刷电路板)上的那种封装件。在例如氧化铝的陶瓷衬底的电路化表面上安装有一个或多个半导体芯片的半导体芯片封装件，在本
中是人所共知的。这种通常称之为陶瓷芯片载体的半导体芯片封装件，一般安装在印刷电路板上。若采用表面安装技术，则陶瓷芯片载体可包括一个引线框，此引线框与形成于陶瓷衬底的带有芯片的电路化表面外围的电接触焊点之间实行机械连接和电连接。上述类型的陶瓷芯片载体可包括一个单层也可包括多层陶瓷衬底。前者的芯片载体是通过先用常规的厚膜金属掩蔽技术使陶瓷单层的上表面电路化而制造。所使用的金属是例如银(Ag)和钯(Pd)的合金，其熔点为1145℃，电阻率为20×10-8Ωm。得到的电路线条一般为例如0.5密尔厚和3密尔宽。电路化之后，得到的陶瓷层在Ag-Pd合金易于承受的温度(例如850-950℃)下于空气中焙烧。然后用常规的引线连接技术将半导体芯片安装到电路化表面上。在多层陶瓷衬底的制造中，一般用常规的厚膜掩蔽技术使各陶瓷层电路化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片封装件，它包含：一个包括相反的第一和第二表面的陶瓷衬底以及至少一个穿过上述衬底以将上述相反的第一和第二表面互连的孔；一个位于上述衬底上述第一表面上的第一导热层；一个位于上述衬底上述第二表面上的第二导热层；一个以热连接方式位于上述第一导热层上的半导体芯片；一个位于上述衬底的上述第一表面上离上述第一导热层为一个预定距离处的电路层，上述半导体芯片与上述电路电连接；至少一个位于上述衬底的上述孔中的导热元件，用来使上述第一和第二导热层热连接以使上述半导体芯片产生的热可以通过上述第一导热层传到上述第二导热层；以及用来使上述电路层电连接到外部衬底的装置。

【技术特征摘要】
US 1994-11-9 3364371.一种半导体芯片封装件，它包含一个包括相反的第一和第二表面的陶瓷衬底以及至少一个穿过上述衬底以将上述相反的第一和第二表面互连的孔；一个位于上述衬底上述第一表面上的第一导热层；一个位于上述衬底上述第二表面上的第二导热层；一个以热连接方式位于上述第一导热层上的半导体芯片；一个位于上述衬底的上述第一表面上离上述第一导热层为一个预定距离处的电路层，上述半导体芯片与上述电路电连接；至少一个位于上述衬底的上述孔中的导热元件，用来使上述第一和第二导热层热连接以使上述半导体芯片产生的热可以通过上述第一导热层传到上述第二导热层；以及用来使上述电路层电连接到外部衬底的装置。2.如权利要求1的封装件，其特征在于上述第一和第二导热层由金属组成。3.如权利要求2的封装件，其特征在于上述金属包含铜。4.如权利要求1的封装件，其特征在于上述第一导热层对上述第二导热层的厚度比率在约1∶1到约1∶10的范围之内。5.如权利要求1的封装件，其特征在于还包括一导热粘合剂，上述粘合剂把上述半导体芯片固定到上述第一导热层上。6.如权利要求1的封装件，其特征在于上述粘合剂是导电的。7.如权利要求6的封装件，其特征在于上述第一和第二导热层和上述导热元件是导电的，上述第二导热层用作上述封装件的接地平面。8.如权利要求1的封装件，其特征在于上述第一和第二导热层和上述导热元件是导电的，上述第二导热层用作上述封装件的接地平面。9.如权利要求8的封装件，其特征在于上述第二导热层与位于上述衬底上述第一表面上的上述电路层电连接。10.如权利要求9的封装件，其特征在于把上述电路层电连接到上述外部衬底的装置将上述第二导热层电连接到上述电路层。11.如权利要求9的封装件，其特征在于用于电连接的上述装置包含一个电连接夹元件。12.如权利要求1的封装件，其特征在于用于电连接的上述装置包含一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹姆斯沃伦威尔逊，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]