电子器件制造制造技术

一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，提出了在自对准薄膜晶体管中断态电流增长和载流子迁移率减小的问题。根据此方法，在掩模层（２０，４８）下面深蚀刻栅层（２，４６）。接着利用掩模层作为注入掩模进行注入步骤，深蚀刻露出注入物损害，然后通过能量束（４２）给注入物损害退火。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子器件制造的方法，包括薄膜晶体管(下文称为“TFT”)，并且提供了利用自对准技术制造TFT的改进的工艺。所述器件可以是平板显示器(例如，有源矩阵液晶显示器，AMLCD)或者大面积图像传感器或几种其它类型的大面积电子器件(例如薄膜数据保存或存储器件)。对于大面积电子设备来说，在绝缘衬底上的具有TFTs和其它薄膜电路元件的薄膜电路的研制得到很多的关注，用非晶、微晶或多晶半导体薄膜的一部分制造的这些电路元件可以在单元矩阵中形成开关元件，例如在美国专利说明书US-A-5,130,829(我们的参考文献PHB33646)中描述的平板显示器，这里引入其全文作为参考材料。在最近几年中，器件还可以包含集成的驱动电路，特别是用多晶硅的TFTs作为电路元件。在多晶硅TFT的制造中，已知用掺杂剂离子(例如磷)的注入以自对准(下文称为“SA”)的方式形成与TFT的栅对准的TFT的源极/漏极区。已知通过将能量束特别是激光束引入薄膜结构激活注入的掺杂剂并且使晶格损害退火。注入区可以是TFT的高掺杂漏区。对于用于驱动电路的TFT，在TFT的沟道和漏区之间具有包括低掺杂漏区(下文称为“LDD”)的场缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，包括步骤： （ａ）在绝缘膜上淀积栅层，所述绝缘层位于半导体膜上； （ｂ）限定在栅层上布图的掩模层； （ｃ）利用掩模层蚀刻以布图栅层； （ｄ）利用掩模层和／或栅层作为注入掩模，注入半导体膜； （ｅ）在掩模层下深蚀刻栅层； （ｆ）除去掩模层；和 （ｇ）用能量束给半导体膜退火。

【技术特征摘要】
GB 2000-4-7 0008487.1;GB 2000-11-9 0027333.41.一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，包括步骤(a)在绝缘膜上淀积栅层，所述绝缘层位于半导体膜上；(b)限定在栅层上布图的掩模层；(c)利用掩模层蚀刻以布图栅层；(d)利用掩模层和/或栅层作为注入掩模，注入半导体膜；(e)在掩模层下深蚀刻栅层；(f)除去掩模层；和(g)用能量束给半导体膜退火。2.按权利要求1的方法，其特征在于，在步骤(d)之前进行步骤(e)。3.按权利要求2的方法，其特征在于，步骤(c)和(e)可以作为一个步骤进行。4.按前面任一个权利要求的方法，在步骤(f)之后进一步包含注入步骤，提供比步骤(d)更低水平的掺杂。5.按权利要求1-3任一个权利要求的方法，其特征在于，步骤(b)包括步骤(h)限定源极/漏极图形掩模层；(i)进行注入步骤，提供比步骤(d)更高水平的掺杂，以便形成由源极/漏极图形限定的源极和漏极区，仅暴露于步骤(d)注入的区形成LDD区；和(j)布图掩模层以限定栅图形。6.按权利要求1-3任一个权利要求的方法，在步骤(c)之后进一步包含步骤(k)在另一个掩模层中限定源极/漏极图形；和(l)进...

【专利技术属性】
技术研发人员：ND杨，JRA艾尔斯，SD布拉泽顿，CA费希尔，FW罗尔芬格，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]